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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR13N20DTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR13N20DTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 30A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IRFR13N20DTRPBF-VB 產品簡介

IRFR13N20DTRPBF-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,采用了先進的Trench技術,封裝在TO252外殼中。這款MOSFET 提供了200V的漏源電壓(VDS),±20V的柵源電壓(VGS)范圍,開啟電壓為3V。其導通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時為55mΩ,最大漏極電流(ID)為30A。該器件的設計旨在提供高效的開關性能和良好的熱穩定性,適用于各種高電壓和高電流的應用場景。

### 二、IRFR13N20DTRPBF-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **最大功耗 (Ptot)**: 94W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **開關時間**: 快速開關特性,適合高頻應用
- **技術**: Trench技術
- **輸入電容 (Ciss)**: 3.2nF
- **輸出電容 (Coss)**: 2.5nF

### 三、應用領域和模塊示例

IRFR13N20DTRPBF-VB 的特點使其在以下領域和模塊中具有廣泛應用:

1. **電源管理**:在電源管理應用中,如高壓DC-DC轉換器和開關電源,這款MOSFET 能夠處理200V的高電壓,并提供穩定的開關性能。其低導通電阻和較高的漏極電流能力,確保了高效的能量轉換和良好的系統性能。

2. **電機驅動**:適用于電機驅動電路,特別是在需要高電壓和高電流的場景中。其30A的漏極電流能力和200V的耐壓,可以有效地控制電機的啟動和運行,提高電機系統的效率和可靠性。

3. **工業自動化**:在工業自動化系統中,IRFR13N20DTRPBF-VB 可用于各種高電壓開關應用。其高耐壓和優良的開關性能使其能夠在惡劣的工業環境中穩定工作,用于電源開關、負載開關和保護電路等。

4. **高壓照明**:該MOSFET 在高壓照明應用中,如高壓氙氣燈或其他高電壓照明系統,能夠提供穩定的開關性能和高電壓保護。其低導通電阻幫助降低能量損失,提升照明系統的整體效率。

5. **逆變器**:在太陽能逆變器和其他類型的電力逆變器中,IRFR13N20DTRPBF-VB 可以用于高電壓電路的開關控制。其高耐壓和良好的開關特性確保了逆變器在高電壓操作下的穩定性和可靠性。

IRFR13N20DTRPBF-VB 的高電壓能力、低導通電阻和快速開關特性使其在電源管理、電機驅動、工業自動化和高壓照明等領域表現優異,能夠滿足各種高電壓和高電流應用的需求。

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