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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR130-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR130-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

IRFR130-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252,專為中等電壓和功率的開關應用設計。它支持最高 100V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。該 MOSFET 的開啟閾值電壓(Vth)為 1.8V,導通電阻(RDS(ON))為 114mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)為 15A。IRFR130-VB 采用 Trench 技術,提供高效的開關性能和低導通電阻,非常適合需要高效率和高可靠性的應用場景。

### 詳細參數說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術**: Trench

### 應用領域與模塊示例

1. **開關電源**: IRFR130-VB 的低導通電阻和適中的漏源電壓使其適用于各種開關電源應用,如 DC-DC 轉換器和適配器。其高效的開關性能有助于提高電源轉換效率,減少功率損耗,確保系統的穩定運行。

2. **電機驅動**: 在中等電壓和電流的電機驅動應用中,如步進電機和小型無刷直流電機,IRFR130-VB 能夠提供穩定的開關性能。其快速的開關特性和低導通電阻有助于提高電機控制的精確性和效率。

3. **負載開關**: 該 MOSFET 適用于中等功率負載開關應用,例如在工業自動化控制系統和開關電源中。IRFR130-VB 的低導通電阻和高開關速度使其能夠高效地切換負載,減少功率損失并提升系統性能。

4. **電池管理系統**: 在電池管理和保護系統中,如便攜式電子設備的電池保護模塊,IRFR130-VB 可用于控制電池的充放電。其開關特性和低導通電阻有助于提高充電效率,保護電池免受過充或過放電的影響,延長電池壽命。

IRFR130-VB 的低導通電阻和優良的開關性能使其在開關電源、電機驅動、負載開關和電池管理系統等多種應用中表現出色,提供高效、可靠的開關解決方案。

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