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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR12N25DCTRLP-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR12N25DCTRLP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
  • ID 17A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR12N25DCTRLP-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR12N25DCTRLP-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252。這款 MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理較高電壓和電流,支持最高 250V 的漏源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵源極電壓(VGS)。其門檻電壓(Vth)為 3.5V,具有相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻:在 VGS=10V 時(shí)為 176mΩ。最大漏極電流(ID)為 17A。IRFR12N25DCTRLP-VB 采用了先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),提供了高效的電源開(kāi)關(guān)性能和優(yōu)異的電流處理能力,適合用于各種電源管理和功率控制應(yīng)用。

### 二、IRFR12N25DCTRLP-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:250V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **門檻電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:176mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:17A
- **技術(shù)類型**:溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說(shuō)明

IRFR12N25DCTRLP-VB 的設(shè)計(jì)使其適用于需要處理高電壓和中等電流的多種應(yīng)用。以下是一些主要應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **高壓電源管理**:該 MOSFET 可用于高壓電源管理系統(tǒng),如電力轉(zhuǎn)換器和高壓電源調(diào)節(jié)器。它能夠處理高達(dá) 250V 的電壓,適合用于要求高電壓耐受的電源管理電路,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)控制。

2. **功率轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,IRFR12N25DCTRLP-VB 能作為高電壓應(yīng)用的開(kāi)關(guān)元件。其低導(dǎo)通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗,適合用于高功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。

3. **電動(dòng)工具和家電**:該 MOSFET 適用于電動(dòng)工具和家用電器的功率開(kāi)關(guān)部分,例如電動(dòng)工具的驅(qū)動(dòng)電路或家電中的開(kāi)關(guān)控制。其高電壓耐受能力和相對(duì)低的導(dǎo)通電阻有助于提高設(shè)備的可靠性和能效。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,IRFR12N25DCTRLP-VB 可以用于高壓電池組的保護(hù)和控制電路。它能夠有效處理高電壓,保護(hù)電池免受過(guò)壓和過(guò)流的影響,確保電池的安全運(yùn)行。

5. **工業(yè)電源開(kāi)關(guān)**:在工業(yè)自動(dòng)化中,該 MOSFET 可以作為高電壓電源開(kāi)關(guān)使用,例如在工業(yè)設(shè)備的電源控制和保護(hù)電路中。其高電壓和高電流處理能力適合用于要求穩(wěn)定和可靠的工業(yè)應(yīng)用。

6. **高電壓功率放大器**:IRFR12N25DCTRLP-VB 也可以用于高電壓功率放大器的開(kāi)關(guān)部分,如射頻功率放大器或音頻放大器中的功率控制。這有助于提升放大器的性能和效率。

這些應(yīng)用示例展示了 IRFR12N25DCTRLP-VB 在需要高電壓和中等電流處理的場(chǎng)景中的出色性能,使其成為電源管理和功率控制的理想選擇。

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