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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR122-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR122-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

IRFR122-VB 是一款高耐壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。它的漏源電壓(VDS)可達(dá) 200V,適合中高電壓應(yīng)用。該 MOSFET 設(shè)計用于處理高電流,漏極電流(ID)可達(dá) 5A。IRFR122-VB 使用 Trench 技術(shù),具有相對較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 850mΩ@VGS=10V),但在其工作電壓和電流范圍內(nèi)仍能提供可靠的性能。開啟電壓(Vth)為 3V,使其在中等柵極電壓下可以有效開啟,適合需要高耐壓和高電流處理能力的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **器件類型**:N 溝道 MOSFET  
2. **封裝類型**:TO252  
3. **漏源電壓 (VDS)**:200V  
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
5. **開啟電壓 (Vth)**:3V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 850mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:5A  
8. **技術(shù)類型**:Trench  
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

IRFR122-VB 的特性使其適用于多個領(lǐng)域和應(yīng)用:

1. **電源管理和轉(zhuǎn)換**:在電源管理系統(tǒng)中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源(SMPS),IRFR122-VB 能夠處理高電壓和中等電流的開關(guān)需求。盡管其導(dǎo)通電阻相對較高,但它的高耐壓特性使其在需要處理 200V 以上電壓的應(yīng)用中非常有用。

2. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,IRFR122-VB 可用于高電壓的開關(guān)和電源控制。它能夠在較高電壓下可靠地操作,適合用于工業(yè)設(shè)備的電源管理和保護(hù)電路。

3. **電動汽車與充電系統(tǒng)**:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和充電模塊中,該 MOSFET 可以用于高電壓的電流開關(guān)和保護(hù)。其高耐壓特性幫助確保電池管理和充電過程中的安全性和可靠性。

4. **家電和消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在家電和一些消費(fèi)電子產(chǎn)品中,IRFR122-VB 可以用于電源開關(guān)和控制電路。盡管導(dǎo)通電阻較高,但其高耐壓特性使其適合用于高電壓應(yīng)用的開關(guān)和保護(hù)功能。

這些應(yīng)用場景中,IRFR122-VB 能夠提供穩(wěn)定的性能和高耐壓能力,滿足不同領(lǐng)域的電氣需求。

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