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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR120TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR120TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR120TRPBF-VB 是一款高效的 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于中等電壓的開關(guān)應(yīng)用。其漏源電壓(VDS)為 100V,柵源電壓(VGS)最大為 ±20V,開啟閾值電壓(Vth)為 1.8V。這款 MOSFET 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 114mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)可達(dá) 15A,采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計(jì),使其具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)性能,特別適用于高效電源管理和中等電流負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: IRFR120TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和較高的漏源電壓特性,使其在高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中有廣泛的應(yīng)用。它能夠在高效能狀態(tài)下進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換,特別適用于工業(yè)電源、通信設(shè)備的電壓調(diào)節(jié)模塊,提升系統(tǒng)整體效率。

2. **電機(jī)控制**: 在小型電機(jī)控制應(yīng)用中,尤其是中等電壓和電流的電機(jī)驅(qū)動(dòng),如無刷直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng),IRFR120TRPBF-VB 能夠提供精確的電流控制,幫助減少開關(guān)損耗,從而提高電機(jī)系統(tǒng)的效率和可靠性。

3. **負(fù)載開關(guān)**: 該 MOSFET 適用于中等功率負(fù)載開關(guān),例如開關(guān)電源和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)。IRFR120TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻可以減少在負(fù)載切換時(shí)的功率損耗,確保更長(zhǎng)的使用壽命和更高的系統(tǒng)穩(wěn)定性。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理和保護(hù)系統(tǒng)中,如便攜式設(shè)備的電池保護(hù)模塊,IRFR120TRPBF-VB 可用于控制電池的充放電。它的開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低,能夠提高充電效率并防止過充或過放電,提升電池的安全性和性能。

IRFR120TRPBF-VB 適合多種中等功率應(yīng)用,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)和電池管理系統(tǒng)中,提供高效的開關(guān)解決方案和低功耗操作。

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