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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR120NCPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR120NCPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR120NCPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:
IRFR120NCPBF-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,基于先進(jìn)的Trench技術(shù)設(shè)計(jì),適用于要求中等電壓和電流控制的應(yīng)用。該MOSFET的漏源極電壓(VDS)為100V,漏極電流(ID)為15A,柵源極電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為1.8V。在VGS=10V的條件下,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為114mΩ。憑借低導(dǎo)通電阻和較高的電流能力,IRFR120NCPBF-VB 能夠有效地降低功率損耗,提高能效,是中等功率應(yīng)用的理想選擇。

### IRFR120NCPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **型號(hào)**: IRFR120NCPBF-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C(典型)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: IRFR120NCPBF-VB 的100V耐壓和較低的導(dǎo)通電阻使其非常適合用于中等功率的DC-DC轉(zhuǎn)換器中。在這些應(yīng)用中,該MOSFET可通過高效的開關(guān)操作,減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)的整體效率,特別適用于需要中高壓的場合。

2. **電源管理模塊**: 在電源管理應(yīng)用中,例如UPS(不間斷電源)、電池管理系統(tǒng)(BMS)和工業(yè)電源模塊,該MOSFET可以處理15A的電流,提供高效的電源切換和管理功能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **工業(yè)控制電路**: IRFR120NCPBF-VB 的堅(jiān)固設(shè)計(jì)和高電壓特性使其能夠應(yīng)用于工業(yè)控制電路中,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化設(shè)備。這些系統(tǒng)常常需要快速開關(guān)和高效電流處理能力,以實(shí)現(xiàn)精確的控制和較長的工作壽命。

4. **LED驅(qū)動(dòng)器和照明系統(tǒng)**: 在LED照明系統(tǒng)中,IRFR120NCPBF-VB 可用于驅(qū)動(dòng)高電壓的LED光源。它能夠在較高的電壓下提供穩(wěn)定的電流控制,從而確保LED的亮度和壽命。

IRFR120NCPBF-VB 以其高效的電流處理能力和較低的導(dǎo)通電阻,適用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制以及LED驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域,是中等功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效能和可靠性的理想選擇。

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