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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR1205TR-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR1205TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 25mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR1205TR-VB 是一款采用 TO252 封裝的 N 溝道 MOSFET,具有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。它的漏源電壓(VDS)為 60V,漏極電流(ID)可達(dá) 45A,且采用 Trench 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能,非常適合高效的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用。在 VGS=10V 時(shí),RDS(ON) 為 25mΩ,使其在高電流情況下也能保持較低的損耗,提升系統(tǒng)效率。其開啟電壓(Vth)為 1.7V,能在低柵極電壓下有效開啟。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **器件類型**:N 溝道 MOSFET  
2. **封裝類型**:TO252  
3. **漏源電壓 (VDS)**:60V  
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
5. **開啟電壓 (Vth)**:1.7V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 30mΩ @ VGS=4.5V  
  - 25mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:45A  
8. **技術(shù)類型**:Trench  
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

IRFR1205TR-VB 以其高電流和低導(dǎo)通電阻特性,適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電池管理系統(tǒng)**:在電池充電和放電管理中,該 MOSFET 能夠提供高效的電流開關(guān),尤其適用于電動(dòng)工具、筆記本電腦等電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備中。它的高電流處理能力能夠確保電池充電和放電的穩(wěn)定性和效率。

2. **電源轉(zhuǎn)換器和逆變器**:IRFR1205TR-VB 可用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器中的高效開關(guān)控制。其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度使其適合高功率應(yīng)用中的高效電源管理,如開關(guān)電源(SMPS)和光伏逆變器。

3. **電動(dòng)汽車與充電設(shè)備**:在電動(dòng)汽車的充電站和車載充電模塊中,該 MOSFET 的高電流能力和低導(dǎo)通損耗可以提高充電效率,減少熱量產(chǎn)生,延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)自動(dòng)化和電機(jī)控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 的高電流處理能力能夠有效驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載,尤其適用于工業(yè)級(jí)開關(guān)控制、繼電器驅(qū)動(dòng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

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