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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR110ATF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR110ATF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

IRFR110ATF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252,設計用于中等電壓和功率的開關應用。它能夠承受最高 100V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。該 MOSFET 的開啟閾值電壓(Vth)為 1.8V,導通電阻(RDS(ON))為 114mΩ@VGS=10V,最大連續漏極電流(ID)為 15A。IRFR110ATF-VB 采用 Trench 技術,提供優良的開關性能和低導通電阻,非常適合中等功率應用。

### 詳細參數說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術**: Trench

### 適用領域和模塊示例

1. **DC-DC 轉換器**: IRFR110ATF-VB 的低導通電阻和適中的漏源電壓使其適用于 DC-DC 轉換器模塊。它能夠在中等電壓和電流下高效地開關,從而提高電源轉換效率并減少功率損失。

2. **電機控制**: 在電機驅動應用中,如步進電機或小型無刷直流電機控制,IRFR110ATF-VB 能夠提供可靠的開關性能和控制精度。其高開關速度和低導通電阻有助于提高電機控制的穩定性和效率。

3. **負載開關**: 該 MOSFET 適合用于負載開關應用,如開關電源和自動化控制系統。在這些應用中,IRFR110ATF-VB 的低導通電阻可以減少功率損失,優化負載開關的性能。

4. **電池管理系統**: 在便攜設備和小型電池管理系統中,IRFR110ATF-VB 可以用作電池保護開關,控制電池的充放電過程。其優良的開關特性和低導通電阻有助于提升電池的性能和安全性。

IRFR110ATF-VB 的低導通電阻和中等電壓能力使其在多種中等功率應用中表現優異,特別是在 DC-DC 轉換器、電機控制和負載開關系統中,能夠提供高效、可靠的開關解決方案。

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