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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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UT14N65F-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: UT14N65F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### **UT14N65F-VB MOSFET 產品簡介**

UT14N65F-VB 是一款單N型MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏源電壓(VDS)和12A的最大漏極電流(ID)。其采用平面(Plannar)技術,適用于高電壓和中等功率應用。該型號的閾值電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))為680mΩ@VGS=10V,適合用在需要較高電壓承受能力和適中導通損耗的場合。UT14N65F-VB MOSFET具有寬泛的柵源電壓(VGS:±30V),能夠在較寬的輸入電壓范圍內穩(wěn)定工作,廣泛應用于電源轉換、逆變器及高電壓電路中。

### **UT14N65F-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明**

- **封裝**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel(單N型通道)
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **RDS(ON)(導通電阻)**:
 - 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**:12A
- **技術**:Plannar(平面技術)

### **UT14N65F-VB MOSFET 應用領域與模塊示例**

1. **高壓電源管理**
  - 由于UT14N65F-VB的650V VDS,適用于高壓電源管理系統(tǒng),如電力轉換器和AC-DC電源。在這些應用中,MOSFET的高耐壓特性和中等導通電阻可以有效提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性,確保電力的可靠傳輸。

2. **太陽能逆變器**
  - 在太陽能逆變器中,UT14N65F-VB可用于直流電轉交流電的電力轉換模塊。由于其高VDS,能夠在高電壓環(huán)境下工作,提供可靠的電流開關性能,確保逆變器的高效能和長壽命。

3. **電機驅動與控制**
  - 在工業(yè)自動化和電動機控制系統(tǒng)中,UT14N65F-VB的高電壓承載能力和較低的導通電阻使其非常適合用于電機驅動器和控制器。其可在高功率驅動下提供穩(wěn)定的開關操作,保證電機平穩(wěn)運行。

4. **UPS(不間斷電源)系統(tǒng)**
  - 在UPS系統(tǒng)中,UT14N65F-VB能夠提供高效的電力轉換和能量存儲保護,尤其在高電壓下,其低導通損耗可以有效降低能量損失,提高系統(tǒng)效率。用于電池充電器、電力傳輸?shù)汝P鍵部分。

5. **電動汽車(EV)充電系統(tǒng)**
  - 該MOSFET在電動汽車的充電系統(tǒng)中也有廣泛應用,尤其在高電壓快速充電過程中。UT14N65F-VB能夠處理高電壓和大電流,保障快速、高效的電池充電,同時減少熱損耗。

6. **開關電源與逆變器模塊**
  - 在高頻開關電源和逆變器模塊中,UT14N65F-VB因其平面技術和650V耐壓,可以用于高功率電源轉換、功率調節(jié)及電流控制,適合用于大功率電源或高頻率電子設備。

這些應用展示了UT14N65F-VB MOSFET的高效能和高耐壓特性,使其在多個領域,如電力轉換、電動汽車、電源管理等應用中,提供穩(wěn)定可靠的性能。

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