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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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UT05N50F-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): UT05N50F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**UT05N50F-VB** 是一款具有 TO220F 封裝的單極性 N 通道功率 MOSFET,設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用,具有 650V 的漏極-源極最大電壓(VDS)。該產(chǎn)品采用平面技術(shù)(Plannar),并支持最大柵極電壓 30V(±V)。其柵極閾值電壓(Vth)為 3.5V,具有典型的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ@VGS=10V,最大電流為 7A。此 MOSFET 適用于高電壓、大電流控制應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率轉(zhuǎn)換器和各種電子設(shè)備中。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: UT05N50F-VB
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單極性 N 通道(Single-N-Channel)
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)(Plannar)
- **最大功率耗散**: 75W(假設(shè)具體功率耗散值需參考數(shù)據(jù)手冊(cè))
- **結(jié)溫范圍**: -55°C 至 +150°C
- **特性**: 低 RDS(ON) 優(yōu)化開關(guān)性能,適合高電壓、大電流應(yīng)用。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  UT05N50F-VB 可用于高效率的開關(guān)電源(SMPS)模塊,作為開關(guān)元件實(shí)現(xiàn)高電壓、高電流的控制。在這些應(yīng)用中,它能有效降低導(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)效率。

2. **功率轉(zhuǎn)換器(Power Converters)**  
  在直流-直流(DC-DC)或交流-直流(AC-DC)轉(zhuǎn)換器中,UT05N50F-VB 可作為主開關(guān)元件,承受高電壓、穩(wěn)定傳輸高功率。其平面技術(shù)(Plannar)使其具有較低的導(dǎo)通電阻,適合高效率的電源轉(zhuǎn)換需求。

3. **電動(dòng)工具與家電**  
  在家電設(shè)備和電動(dòng)工具中,UT05N50F-VB 可用于電源管理系統(tǒng)的功率開關(guān),控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)及負(fù)載調(diào)節(jié),保證系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性和效率。

4. **電動(dòng)車充電模塊**  
  在電動(dòng)車充電模塊中,UT05N50F-VB 可用于實(shí)現(xiàn)高效的電池充電管理。由于其耐高壓特性,它能夠在充電過程中確保電池與電源之間的電壓轉(zhuǎn)換高效而穩(wěn)定。

5. **UPS(不間斷電源)系統(tǒng)**  
  在 UPS 系統(tǒng)中,UT05N50F-VB 可以作為高電壓應(yīng)用中的電力開關(guān),在電力逆變器和整流器中發(fā)揮重要作用,確保在電力中斷時(shí)的無縫切換,并提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。

以上是 UT05N50F-VB 的部分應(yīng)用示例,適用于高電壓、大電流的電力轉(zhuǎn)換與開關(guān)控制領(lǐng)域,尤其在需要低導(dǎo)通電阻和高耐壓的場(chǎng)合表現(xiàn)優(yōu)異。

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