--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. **產(chǎn)品簡介:**
UK2996L-TF1-T-VB 是一款高性能單極 N 通道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計用于高電壓和高功率應(yīng)用。該器件的最大漏源電壓(VDS)為 650V,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))830mΩ@VGS=10V,能夠提供穩(wěn)定的 10A 電流。它的開啟閾值電壓(Vth)為 3.5V,適用于需要高可靠性和高效率的電源管理系統(tǒng)。MOSFET 采用平面工藝(Plannar)技術(shù),具有較好的熱性能和穩(wěn)定的開關(guān)特性。
### 2. **詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單 N 通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:830mΩ(VGS=10V)
- **最大漏電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)工藝**:平面工藝(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **封裝尺寸**:TO220F
- **應(yīng)用領(lǐng)域**:適用于高電壓電源、逆變器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
### 3. **應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:**
- **電源管理系統(tǒng)**:UK2996L-TF1-T-VB 具有較高的 VDS(650V)和較低的 RDS(ON),使其非常適用于高電壓電源管理系統(tǒng),尤其是在電源轉(zhuǎn)換器中,可以提高效率并減少能量損失。適用于 UPS(不間斷電源)、電力逆變器等設(shè)備。
- **電動汽車充電系統(tǒng)**:在電動汽車充電系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可用于直流-直流轉(zhuǎn)換器或電池管理系統(tǒng)(BMS),幫助高效地管理充電和電池電壓轉(zhuǎn)換。由于其耐高電壓和高電流承載能力,能夠確保在充電過程中提供穩(wěn)定的性能。
- **功率逆變器**:對于光伏系統(tǒng)和風(fēng)能逆變器,UK2996L-TF1-T-VB 提供了高效的開關(guān)性能和耐高壓能力,能夠在不同負(fù)載條件下提供穩(wěn)定的轉(zhuǎn)換效率。其平面工藝技術(shù)保證了低熱損失和高開關(guān)速度,非常適合用于大規(guī)模電能轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
- **電動工具電源模塊**:在電動工具的電源模塊中,UK2996L-TF1-T-VB 可用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,確保高效的電池充電和電源轉(zhuǎn)換。其高電壓處理能力和高導(dǎo)通電流能力使其能夠應(yīng)對多種高功率設(shè)備的需求。
這些示例展示了該 MOSFET 在高電壓、高電流以及需要高開關(guān)頻率和低導(dǎo)通損失的系統(tǒng)中的多種應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢 -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V立即咨詢 -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V立即咨詢 -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢 -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢 -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢 -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V立即咨詢 -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V立即咨詢 -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V立即咨詢 -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V立即咨詢
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它