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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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TSM7N65CI CO-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: TSM7N65CI CO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### **產品簡介:**

TSM7N65CI CO-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,設計用于高電壓和中等電流的開關應用。其 VDS 最大值為 650V,最大漏極電流 ID 可達 7A,適合用于高電壓和高可靠性要求的功率管理系統。該 MOSFET 采用 Plannar 技術,具有較低的導通電阻(RDS(ON) 為 1100mΩ @VGS=10V),并且能夠在高VDS電壓下穩定工作,廣泛應用于各種電源轉換、逆變器以及其他高電壓開關系統。它的 Vth 為 3.5V,在 10V 的柵極驅動下能夠提供高效的電流導通性能,適合用于各種電力電子應用。

### **詳細參數說明:**

- **封裝**: TO220F  
- **配置**: 單 N 溝道  
- **VDS (漏極源極電壓)**: 650V  
- **VGS (柵極源極電壓)**: ±30V  
- **Vth (柵極閾值電壓)**: 3.5V  
- **RDS(ON) (導通電阻)**:  
 - 1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A  
- **技術**: Plannar  
- **最大功率損耗 (Ptot)**: 100W (根據工作環境而定)  
- **工作溫度范圍**: -55°C 到 +150°C

### **應用領域和模塊舉例:**

1. **高壓電源管理和轉換:**
  TSM7N65CI CO-VB 在高壓電源管理系統中有廣泛應用,特別是在需要承受650V電壓的應用場合。它常用于AC-DC電源轉換、電力變換器和逆變器等高電壓電源模塊中。由于其高壓承受能力和穩定的導通特性,TSM7N65CI 適用于工業電源、太陽能逆變器和UPS電源等系統中,提供穩定和高效的電力轉換。

2. **逆變器和電動驅動系統:**
  作為單 N 溝道 MOSFET,TSM7N65CI CO-VB 在電動機驅動和逆變器應用中也表現優異。它可以用于高壓DC-AC逆變器中,提供高效率的電流轉換。特別適合用于風能、太陽能發電系統中的逆變器模塊,支持穩定、高效的電力輸出,并能夠適應電動機驅動系統中的電流調節需求。

3. **功率因數校正 (PFC) 模塊:**
  在功率因數校正電路中,TSM7N65CI CO-VB 可作為高電壓開關組件使用。功率因數校正是現代電源設計中常見的需求,特別是在開關電源中,TSM7N65CI 能通過其高效率轉換來提高電力系統的穩定性和效率,減少諧波并提高電能利用率。

4. **汽車電源管理:**
  由于其較高的電壓耐受能力和較低的導通電阻,TSM7N65CI CO-VB 也適用于電動汽車和混合動力汽車中的電源管理系統,特別是在電池管理、逆變器以及電動機驅動模塊中。在電動車的電池管理系統中,它提供了可靠的電流開關控制,以確保電池和電動機之間的穩定電力傳輸。

5. **工業控制系統:**
  TSM7N65CI CO-VB 適用于各種工業自動化和控制系統中,特別是在高功率電源和電機控制系統中。它可作為電動機控制系統中的開關元件,也可應用于工業電源系統和電流限制保護電路中,幫助實現精確的電流控制和高效的能量轉換。

6. **家用電器和消費電子:**
  TSM7N65CI CO-VB 由于其穩定的開關特性和較高的VDS,它在家用電器,如空調、洗衣機等的電源模塊中也有應用。特別是在需要穩定工作在高電壓環境下的應用中,TSM7N65CI 為家電提供可靠的電流切換控制和高效的功率轉換能力。

### **總結:**
TSM7N65CI CO-VB 是一款高壓、低導通電阻的單 N 溝道 MOSFET,適用于各種高電壓、低功耗的電源管理、逆變器、電動機驅動及工業應用。其優異的開關性能和高效率使其成為高電壓開關電源、電動驅動和功率因數校正電路中的理想選擇。

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