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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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TSF7N60S-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: TSF7N60S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. **產品簡介 - TSF7N60S-VB**

TSF7N60S-VB 是一款單極 N 型溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于高壓開關應用。該型號具有650V的漏極到源極電壓 (V_DS) 和30V的柵極驅動電壓 (V_GS),以及具有 3.5V 的閾值電壓 (V_th)。其 R_DS(ON) 為680mΩ@V_GS=10V,最大持續漏電流為12A。采用平面技術(Plannar Technology)制造,這種設計能夠有效控制導通損耗,并提供高電壓和電流的承載能力。TSF7N60S-VB 廣泛用于電力管理和高功率開關應用,如電源、變換器、開關電源和電機控制等。

### 2. **詳細參數說明**

- **型號**: TSF7N60S-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單極 N 型溝道(Single-N-Channel)
- **漏極到源極電壓 (V_DS)**: 650V
- **柵極驅動電壓 (V_GS)**: ±30V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3.5V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**: 680mΩ @ V_GS=10V
- **最大漏極電流 (I_D)**: 12A
- **最大功率耗散**: 75W(具體功率根據熱阻和工作條件可計算)
- **技術類型**: 平面技術(Plannar Technology)
- **最大反向恢復時間**: (Typical) 300ns(取決于應用頻率與操作條件)
- **開關特性**:
 - 開通延遲時間: 30ns
 - 關斷延遲時間: 50ns
 - 反向恢復時間: 150ns
- **最大柵極源極電壓**: ±30V
- **最大漏極源極電流 (I_D)**: 12A

### 3. **應用領域與模塊示例**

- **電源管理**: TSF7N60S-VB 可廣泛應用于各種高壓開關電源中,尤其是需要高電壓和電流能力的應用場合,如交流-直流 (AC-DC) 電源適配器、LED 驅動器和電力轉換器。由于其低 R_DS(ON) 和高耐壓能力,它能夠提供更高效的能量轉換,降低損耗。
 
- **電機控制**: 在電機驅動模塊中,TSF7N60S-VB 被用作高功率開關器件,用于控制直流電機和步進電機。它適用于電動工具、家電、無人機等高效能電機控制系統中,能夠承受高電流和提供快速響應。

- **電動汽車和電池管理系統**: TSF7N60S-VB 可用于電動汽車的電池管理和充電系統。由于其能夠處理較高電壓,適合用于電池組管理和電池充電器設計中,保證系統的穩定性和效率。

- **逆變器和可再生能源系統**: 在太陽能逆變器和風能轉換器中,TSF7N60S-VB 可作為主要的開關元件,支持高效能的電力轉換,尤其在處理來自太陽能板或風力發電機的直流電流時,提供所需的耐壓和高效切換特性。

- **過電壓保護與電源切換**: 由于其耐高壓和耐高電流的能力,TSF7N60S-VB 可用于各種過電壓保護系統中,包括電力變壓器、配電網絡保護模塊等,確保電力系統的安全性和穩定性。

綜上所述,TSF7N60S-VB 是一款高性能的 MOSFET,適用于多種高壓、大電流、高效能轉換的電力管理應用。其在不同領域的廣泛適用性使其成為關鍵的電力開關元件。

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