--- 產品參數 ---
- Package TO220F
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### TK4A55DATA4-VB MOSFET 產品簡介
TK4A55DATA4-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,采用平面(Plannar)技術,具有較高的漏極源電壓(VDS)650V,適用于中低功率的電力控制應用。其最大柵極源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V。在 VGS = 10V 時,RDS(ON) 為 2560mΩ,最大漏極電流(ID)為 4A。該 MOSFET 主要用于高電壓開關控制、電源管理、工業控制及電池管理等應用,提供穩定的電流控制和開關功能。
### TK4A55DATA4-VB MOSFET 詳細參數說明
| **參數** | **規格** |
|------------------|----------------------------------|
| **型號** | TK4A55DATA4-VB |
| **封裝形式** | TO220F |
| **配置** | 單極性 N 通道 |
| **最大漏極源電壓 (VDS)** | 650V |
| **最大柵極源電壓 (VGS)** | ±30V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS = 10V |
| **最大漏極電流 (ID)** | 4A |
| **技術** | Plannar |
### TK4A55DATA4-VB MOSFET 適用領域與模塊舉例
**1. 高電壓開關控制:**
- TK4A55DATA4-VB MOSFET 的 650V VDS 使其非常適合用于需要高電壓開關控制的應用,如電力電子和電源管理系統。尤其是在高電壓的AC-DC轉換、功率因數校正(PFC)電路以及中等功率的DC-DC轉換器中,MOSFET 能提供穩定的開關性能,確保系統的高效能與低損耗。
**2. 電源管理和電源保護:**
- 在電源管理系統中,TK4A55DATA4-VB 可用于穩壓電源、電池管理系統(BMS)等領域,尤其是在工業電源、可再生能源電源(如太陽能逆變器)等應用中。其高電壓承受能力與開關性能非常適合在大功率電源中使用,確保電池充放電的平穩控制和電源的穩定運行。
**3. 工業控制與電機驅動:**
- TK4A55DATA4-VB 可用于工業電機驅動系統,尤其是需要高電壓和電流承載能力的中低功率應用。由于其穩定的導通性能和較高的電壓耐受能力,它能夠在電機啟動、制動和變速過程中提供可靠的控制,廣泛應用于自動化設備、機械控制和電動工具。
**4. 電池管理系統(BMS):**
- 在電池管理系統中,TK4A55DATA4-VB 可用作高壓開關控制器,幫助管理電池充電和放電過程。由于其高 VDS 和相對較低的 RDS(ON) 值,它能夠高效控制電池組的充電過程,尤其適用于電動汽車(EV)、儲能系統等大功率應用。
**5. 電力保護電路:**
- 該 MOSFET 還適用于電力保護電路,如過電壓保護、過電流保護等。其高 VDS 容忍度使其能夠承受較高的電壓沖擊,適合用于電氣系統中的開關保護,防止電氣元件因異常電壓或電流而損壞,確保系統的安全運行。
**6. 開關電源(SMPS)與 PFC 電路:**
- 在開關電源和功率因數校正(PFC)電路中,TK4A55DATA4-VB 提供可靠的高電壓開關功能,能夠有效地轉換和調節電源電壓。盡管其 RDS(ON) 值較高,但在中等功率需求的電源系統中依然表現優異,適用于中小功率的 AC-DC 電源、照明控制電路等。
通過上述應用示例,可以看出 TK4A55DATA4-VB 是一款具有高電壓承受能力和穩定導通性能的 MOSFET,特別適用于高電壓開關控制、電源管理、工業控制等領域,能夠滿足中低功率應用中對高電壓和穩定性能的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12