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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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TK3A60DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: TK3A60DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介:TK3A60DA-VB

TK3A60DA-VB 是一款高電壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有 650V 的漏源耐壓 (V_DS) 和最大漏極電流 4A。該 MOSFET 的柵極-源極電壓范圍為 ±30V,閾值電壓 (V_th) 為 3.5V,R_DS(ON) 在 V_GS=10V 時為 2560mΩ。采用 Plannar 技術,該型號適用于中高壓應用,尤其是在需要高耐壓、低功耗開關的場合。

### 詳細參數說明:

| 參數                | 數值                          |
|---------------------|-------------------------------|
| **型號**            | TK3A60DA-VB                  |
| **封裝**            | TO220F                       |
| **配置**            | 單一 N 通道 MOSFET            |
| **漏極-源極耐壓 (V_DS)** | 650V                          |
| **柵極-源極電壓 (V_GS)** | ±30V                          |
| **閾值電壓 (V_th)**  | 3.5V                          |
| **導通電阻 (R_DS(ON))** | 2560mΩ @ V_GS=10V             |
| **最大漏極電流 (I_D)** | 4A                            |
| **技術**            | Plannar                        |

### 應用領域與模塊:

1. **開關電源**:TK3A60DA-VB 由于其高耐壓特性和較低的導通電阻,在開關電源(如 AC-DC 電源、DC-DC 轉換器)中具有廣泛應用。尤其是在高電壓輸出、低功耗模式的場合,該 MOSFET 能有效提高轉換效率并降低熱損失。

2. **電機驅動系統**:在電機驅動應用中,TK3A60DA-VB 適用于高壓電機控制系統,如無刷直流電機 (BLDC) 驅動器。其穩定的性能和較高的電流承載能力使其能應對電機的快速切換需求,尤其適合于高壓和高功率電機驅動場合。

3. **電力電子設備**:在電力電子模塊中,TK3A60DA-VB 可以用于逆變器、直流變頻驅動器等設備的功率開關。650V 的耐壓能力和較低的導通電阻使其適用于工業電力轉換和控制領域。

4. **電池管理系統 (BMS)**:在電池管理系統中,TK3A60DA-VB 適用于對電池進行高效、可靠的電壓和電流開關控制,尤其是在大功率電池系統中,能夠提供穩定的電流路徑并降低能量損失。

5. **家電與消費電子產品**:由于其可靠的性能和較低的功耗,TK3A60DA-VB 也適用于一些家電和消費電子產品的電源管理模塊中,如 LED 驅動、溫控系統等。

### 總結:
TK3A60DA-VB 是一款適用于高壓、中等電流應用的 N 通道 MOSFET,能夠在多種工業、消費電子及電力電子系統中發揮重要作用,尤其適合于高電壓、高功率的開關電源、電機驅動以及電池管理等應用領域。

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