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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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TK3A60DATA4-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: TK3A60DATA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介:TK3A60DATA4-VB MOSFET

TK3A60DATA4-VB 是一款單極 N 通道 (Single-N-Channel) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET),封裝類型為 TO220F,具有高達 650V 的漏極-源極電壓(VDS)額定值。其開關性能穩定,適用于高電壓和大功率的應用領域,具有良好的耐用性和低導通電阻。該 MOSFET 的最大漏極電流為 4A,且具備 3.5V 的門極閾值電壓(Vth),適合廣泛用于電源管理、電機控制、家電、電動工具及汽車電子等場合。由于其采用了平面工藝(Plannar Technology),在高頻和高溫環境下的性能表現也較為穩定。

### 詳細參數說明:

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單極 N 通道 (Single-N-Channel)
- **最大漏源電壓(VDS)**: 650V
- **最大柵極源極電壓(VGS)**: ±30V
- **門極閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 2560mΩ(在 VGS = 10V 時)
- **最大漏極電流(ID)**: 4A
- **工藝技術**: 平面工藝(Plannar Technology)

### 應用領域和模塊舉例:

1. **電源管理**:
  TK3A60DATA4-VB 適用于高電壓 DC-DC 轉換器、電池充電器及電源保護模塊等。由于其高耐壓特性(650V),能夠有效管理大功率電源轉換過程中的電壓和電流變化,提供高效且穩定的電源輸出。

2. **電機控制系統**:
  該 MOSFET 可應用于電機驅動器和逆變器等電機控制系統中。由于其低導通電阻特性,有助于減少能量損失,尤其適用于要求高效、低功耗控制的大型電動機。

3. **汽車電子**:
  TK3A60DATA4-VB 可用于汽車中的高壓電源管理模塊,如汽車充電系統、電動動力系統以及各種車載電氣設備的控制電路。其650V的耐壓范圍使其適合在汽車電子系統中處理較高電壓的工作環境。

4. **家電和工業控制**:
  適用于家電如空調、電動工具中的功率控制、開關電源等模塊。平面工藝的使用使得其在高頻和高溫條件下能夠穩定工作,滿足家電和工業設備對可靠性和長壽命的需求。

5. **高效電源轉換設備**:
  在太陽能逆變器、UPS 電源、開關電源等領域,TK3A60DATA4-VB 提供了高效率的功率轉換能力,能夠承受高電壓和高電流,確保設備在高負載情況下的穩定運行。

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