--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**TF8N50-VB TO220F N 溝道 MOSFET** 是一款采用 **Plannar 技術(shù)** 制造的 **高壓功率 MOSFET**,專為高電壓、高電流開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),具有最大漏極源極電壓(VDS) **650V** 和最大漏極電流(ID) **12A** 的能力。此款 MOSFET 具有 **3.5V** 的門閾值電壓(Vth)和 **680mΩ** 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS = 10V,適用于高壓開關(guān)、能量轉(zhuǎn)換和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。封裝采用 **TO220F**,使其具備良好的散熱性能,適用于需要較高功率和散熱要求的系統(tǒng)。
該 MOSFET 的設(shè)計(jì)考慮到高電壓耐受性和高功率處理能力,廣泛應(yīng)用于 **電源管理系統(tǒng)**、**電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**、**逆變器電源** 和 **電池管理** 等場合。其 **650V** 的高電壓耐受能力使其成為高壓直流電路中可靠的開關(guān)器件。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:TF8N50-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單個(gè) N 溝道(Single-N-Channel)
- **最大漏源電壓(VDS)**:650V
- **最大門源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- **680mΩ** @ **VGS = 10V**
- **最大漏極電流(ID)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar
- **最大功耗**:受限于散熱條件,具體需要參考產(chǎn)品數(shù)據(jù)表和應(yīng)用環(huán)境
### 適用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
TF8N50-VB 適用于 **高壓電源轉(zhuǎn)換器** 中的開關(guān)元件。尤其在 **太陽能逆變器**、**不間斷電源(UPS)** 和 **高壓直流(DC)-交流(AC)轉(zhuǎn)換器** 中,MOSFET 常用于電壓轉(zhuǎn)換和功率調(diào)節(jié)電路。其 **650V** 的最大漏源電壓使其能夠承受高電壓應(yīng)用中的開關(guān)負(fù)載,且導(dǎo)通電阻較低,確保了較高的效率。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:
在 **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)** 中,TF8N50-VB 作為 **開關(guān)元件**,用于控制直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和無刷直流電機(jī)(BLDC)的驅(qū)動(dòng)電路。其 **12A** 的最大漏極電流和高 **650V** 的耐壓能力使其適合用于 **電動(dòng)工具、家電電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車** 等應(yīng)用,滿足較高電流和功率的需求。
3. **逆變器電源和變頻器**:
在 **變頻器** 和 **電力逆變器** 中,TF8N50-VB 可以用于功率開關(guān),控制電力的交流變換與調(diào)節(jié)。特別是在 **工業(yè)自動(dòng)化** 和 **高功率電力控制系統(tǒng)** 中,MOSFET 提供快速開關(guān)和較低的能量損耗,使系統(tǒng)更加高效。
4. **汽車電子**:
**TF8N50-VB** 也適用于 **汽車電子** 中,尤其是在 **電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)** 的 **電池管理系統(tǒng)(BMS)** 和 **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)** 中。MOSFET 可以用來高效地控制電池充放電,并用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、能量回收和功率調(diào)節(jié)。
5. **高壓直流開關(guān)電路**:
由于 **TF8N50-VB** 具有高 **650V** 的耐壓能力,它是 **高壓直流(DC)電路開關(guān)** 中的理想選擇??捎糜?**高壓電力傳輸** 和 **電壓保護(hù)開關(guān)** 中,在出現(xiàn)過電壓時(shí)切斷電流,防止設(shè)備損壞。
6. **電力系統(tǒng)保護(hù)**:
**TF8N50-VB** 還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)中的 **過電流保護(hù)電路、浪涌保護(hù)電路** 和 **電氣斷路器**。其能夠在高電壓環(huán)境下快速切斷電流流動(dòng),保護(hù)電力系統(tǒng)免受過載和短路的影響。
### 總結(jié)
**TF8N50-VB TO220F N 溝道 MOSFET** 是一款高壓、高功率開關(guān)元件,適用于多種高電壓應(yīng)用,尤其是在 **電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器電源和電力系統(tǒng)保護(hù)** 等領(lǐng)域。其 **650V** 的漏源電壓和 **12A** 的最大漏極電流提供了強(qiáng)大的承載能力,同時(shí)其 **680mΩ** 的導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)過程中能夠高效運(yùn)行。隨著其 **Plannar 技術(shù)** 的設(shè)計(jì),TF8N50-VB 在需要高電壓耐受、低損耗和高效能的應(yīng)用場合中表現(xiàn)出色。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛