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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SVD4N65F-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: SVD4N65F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介:**

SVD4N65F-VB是一款高壓N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計用于中高電壓應(yīng)用。該MOSFET具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS),最大漏極電流(ID)為4A,閾值電壓(Vth)為3.5V。SVD4N65F-VB采用Plannar技術(shù),具有較高的耐壓和較大的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 2560mΩ),適用于低功率、高電壓開關(guān)應(yīng)用。其較大的RDS(ON)使其在某些對電流較為敏感的應(yīng)用中表現(xiàn)不如低導(dǎo)通電阻MOSFET,但其高電壓承受能力使其仍在許多工業(yè)應(yīng)用中得到了廣泛的應(yīng)用,尤其是對小電流和高耐壓要求較高的場合。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **型號**:SVD4N65F-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單一N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**:4A
- **技術(shù)類型**:Plannar技術(shù)
- **工作溫度范圍**:通常為-55°C至150°C(具體值依據(jù)應(yīng)用和條件可能有所不同)
- **最大功耗**:根據(jù)導(dǎo)通電阻及工作條件,適用于低功率應(yīng)用。

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**

1. **高電壓電源管理**:
  SVD4N65F-VB適用于需要高電壓耐受的電源管理系統(tǒng),尤其是在小功率電源模塊中,如開關(guān)電源(SMPS)、LED驅(qū)動電源和AC-DC轉(zhuǎn)換器。其650V的漏源電壓使其能夠處理較高電壓輸入,而最大漏極電流為4A,使其適用于需要一定電流控制的低功率應(yīng)用。

2. **家電電機(jī)驅(qū)動**:
  該MOSFET也可以用于家電電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng),如風(fēng)扇、空調(diào)等設(shè)備的電機(jī)控制。由于其較高的耐壓和適中的電流能力,它可以用于這些低功率電機(jī)的開關(guān)控制,確保設(shè)備在電力系統(tǒng)中的高效運(yùn)作,并提供電機(jī)保護(hù)功能。

3. **電動工具**:
  在電動工具的電源控制系統(tǒng)中,SVD4N65F-VB能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,適用于低功率電動工具的電流控制。其650V的耐壓和較低的電流承載能力使其成為家庭工具、電動扳手等應(yīng)用的合適選擇。

4. **逆變器應(yīng)用**:
  在太陽能逆變器和風(fēng)能逆變器等可再生能源領(lǐng)域,SVD4N65F-VB能夠提供高耐壓的開關(guān)控制,適用于低功率的逆變器模塊。其650V的漏源電壓使其在直流電轉(zhuǎn)交流電的過程中具有較高的安全性,尤其在光伏系統(tǒng)和小型風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中得到應(yīng)用。

5. **工業(yè)電源系統(tǒng)**:
  在工業(yè)應(yīng)用中,SVD4N65F-VB適用于低功率工業(yè)電源模塊和一些電力開關(guān)設(shè)備。盡管其導(dǎo)通電阻相對較大,但在一些低電流負(fù)載下仍能夠?qū)崿F(xiàn)高效的開關(guān)控制,廣泛用于工業(yè)控制和電源保護(hù)系統(tǒng)中。

6. **高壓開關(guān)應(yīng)用**:
  SVD4N65F-VB可以用于各種高電壓開關(guān)應(yīng)用,如電力轉(zhuǎn)換設(shè)備、電力保護(hù)開關(guān)和電力管理模塊中。其650V的高耐壓使其適合用于需要承受較高電壓的電力開關(guān)環(huán)境。

**總結(jié):**

SVD4N65F-VB作為一款高壓N溝道MOSFET,憑借其650V的耐壓能力和4A的電流承載能力,適合用于低功率和高電壓的電源管理、工業(yè)控制、電動工具、逆變器等應(yīng)用。雖然其導(dǎo)通電阻較高,但仍能夠在特定的低功率場合中提供高效的電流控制,適用于各種需要高電壓承受能力的場合。

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