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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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STP9NK50-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: STP9NK50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### **STP9NK50-VB MOSFET - 產品簡介**

STP9NK50-VB 是一款采用TO220F封裝的單N通道功率MOSFET,采用傳統的平面(Plannar)技術制造,適用于高壓和中等功率的開關應用。其最大漏極源電壓(VDS)高達650V,適合用于需要高電壓耐受能力的電源模塊、功率變換設備等場合。STP9NK50-VB MOSFET的低柵極閾值電壓(Vth)和相對較高的導通電阻(RDS(ON))使其成為具有穩定性和成本效益的解決方案,適合用于電力電子領域中的多種應用,尤其是那些要求穩定工作在較高電壓和中等電流負載下的系統。

### **詳細參數說明**

- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道(Single-N-Channel)
- **最大漏極源電壓(VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流(ID)**: 12A
- **技術**: 平面技術(Plannar Technology)

**特性說明**:
- **高電壓承受能力**: 最大VDS為650V,能夠承受高電壓的開關和電力轉換應用,特別適用于高壓環境。
- **柵極閾值電壓(Vth)**: 柵極開啟電壓為3.5V,適合大部分控制電路,確保低電壓驅動。
- **導通電阻**: RDS(ON)為680mΩ,雖然較高,但對于一些中等功率應用而言已能提供足夠的性能。
- **高可靠性**: 平面(Plannar)技術確保了MOSFET在高電壓、高溫等環境下的穩定性和長期可靠性。

### **應用領域和模塊示例**

1. **電源轉換器(Power Converters)**:
  STP9NK50-VB 適用于高壓電源轉換器中的開關應用,如DC-DC轉換器、AC-DC電源等。它能在高電壓工作環境下提供穩定的開關性能,在電力轉換過程中有效管理電壓波動。適用于服務器電源、電池充電器等應用場景。

2. **電動機控制(Motor Control)**:
  該MOSFET特別適合用于電動機驅動電路中,尤其是高電壓電動機控制系統。由于STP9NK50-VB可以在650V的電壓下穩定工作,它適合用于大功率電動機驅動、電動工具和家電產品等需要高電壓耐受能力的場合。

3. **工業電源系統**:
  在工業電源系統中,如變頻器、可編程電源等,STP9NK50-VB MOSFET能夠在高壓環境下穩定工作,且具有較好的開關性能,能夠有效調節電流與電壓,實現高效的功率轉換。適用于電力自動化設備、控制系統及電力調度模塊。

4. **焊接電源**:
  在焊接電源模塊中,STP9NK50-VB 由于其高VDS和耐壓特性,非常適合用于焊接控制系統和逆變電源模塊。這些系統通常需要在650V以上的電壓下穩定運行,STP9NK50-VB可以提供可靠的開關性能,確保焊接過程的電流穩定和高效。

5. **家用電器**:
  STP9NK50-VB 也適合用于一些家用電器中的功率轉換模塊,尤其是需要較高工作電壓的設備,如空調、電熱水器、冰箱等家電的電源板。這些家電通常需要將AC電壓轉換為適合內部電路的電壓,而STP9NK50-VB在這種應用中提供了可靠的電流控制。

6. **UPS系統(不間斷電源)**:
  在不間斷電源系統(UPS)中,STP9NK50-VB 可用于電源轉換模塊,支持電池電源和主電源之間的切換,確保在電網斷電時仍能提供穩定的電力供應。

通過這些應用領域的舉例,可以看出,STP9NK50-VB 是一款適用于各種高電壓應用的MOSFET,憑借其高電壓承載能力和穩定的工作性能,廣泛應用于電力電子、工業控制以及電源管理等多個領域。

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