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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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STF4N52K3-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: STF4N52K3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介:

**STF4N52K3-VB** 是一款采用TO220F封裝的單N通道MOSFET,采用Plannar技術制造,具有650V的漏極-源極耐壓(VDS)和4A的最大漏極電流(ID)。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為3.5V,且在VGS = 10V時其導通電阻(RDS(ON))為2560mΩ。盡管其導通電阻較高,但在低電流應用中,**STF4N52K3-VB** MOSFET仍能提供良好的開關特性和高耐壓,適用于各種需要高耐壓的中低功率應用,如電源管理、開關電源和小型電機驅動等領域。

### 2. 詳細參數說明:

- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單N通道  
- **漏極-源極耐壓(VDS)**:650V  
- **柵源電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導通電阻(RDS(ON))**:2560mΩ(在VGS = 10V時)  
- **最大漏極電流(ID)**:4A  
- **技術**:Plannar

### 3. 應用領域和模塊:

**STF4N52K3-VB** MOSFET具有較高的耐壓和適中的導通電阻,適合用于一些不需要非常高電流但需要高耐壓的應用。以下是該型號產品的典型應用場景:

- **開關電源**:
 在開關電源(SMPS)應用中,**STF4N52K3-VB** MOSFET可作為主開關或輔助開關,用于高電壓轉換。其650V的漏極-源極耐壓使其適用于各種電源設計,特別是那些在高壓條件下運行的電源模塊,能夠提供穩定的開關特性。

- **電機驅動控制**:
 在一些中低功率電機控制應用中,**STF4N52K3-VB** MOSFET可作為電動機驅動電路中的開關元件。它的耐壓特性使其適用于需要承受較高電壓的電機驅動系統,尤其是一些小型家電、電動工具等領域,提供高效的電流控制。

- **電池管理系統(BMS)**:
 該MOSFET也可在電池管理系統中使用,尤其是在需要高耐壓和低電流的電池保護電路中。其適中的導通電阻和耐高壓的特性使其能夠在充放電過程中的電流切換中起到重要作用,保護電池免受過電壓和過電流的損害。

- **汽車電子系統**:
 在汽車電子中,尤其是電池管理、電動窗戶控制、點火系統等模塊中,**STF4N52K3-VB** 可以用于高電壓開關應用。由于其650V的耐壓能力,這款MOSFET特別適合用于汽車中的電源轉換和電流開關管理。

- **家庭電器**:
 對于家庭電器(如微波爐、空調等),**STF4N52K3-VB** MOSFET可以用于電源管理和開關電路中。其較高的耐壓使其在處理家庭電器中的高電壓電源轉換時保持高效和安全。

- **小型電力設備**:
 在一些小型電力設備中,如打印機、UPS電源、LED驅動器等,**STF4N52K3-VB** 可用于電壓轉換和電流開關。由于其較低的漏極電流(4A),它適用于中小功率設備,提供穩定的性能。

- **工業控制系統**:
 在一些工業控制應用中,**STF4N52K3-VB** 可作為開關元件,控制較小的功率負載。其高耐壓使其在一些工業電氣設備中能夠承受較高的電壓環境,同時提供穩定的開關性能。

### 總結:
**STF4N52K3-VB** MOSFET的設計目標是高耐壓應用,尤其適用于開關電源、電動機驅動、電池管理系統和其他中低功率電氣設備。它的650V耐壓和4A電流承載能力使其成為多種電力轉換和電流控制模塊中的理想選擇,適合用于家電、汽車電子、工業控制等多個領域。

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