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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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STF3N62K3-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): STF3N62K3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### STF3N62K3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

STF3N62K3-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 650V,適用于需要高電壓承受能力的電源和負(fù)載開(kāi)關(guān)。其漏極電流(ID)最大為 4A,適合中小功率電流的應(yīng)用。閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性。STF3N62K3-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ@VGS=10V,雖然其導(dǎo)通電阻相對(duì)較高,但其較低的電流承載能力使其更適用于低功率且高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。該 MOSFET 使用了平面技術(shù)(Plannar),具有較好的穩(wěn)定性和可靠性,適合在多種電子系統(tǒng)中使用。

### STF3N62K3-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| **參數(shù)**               | **規(guī)格**               | **描述**                                                   |
|------------------------|------------------------|-----------------------------------------------------------|
| **封裝**               | TO220F                 | TO220F 封裝,提供優(yōu)異的散熱性能,適合功率較大的應(yīng)用         |
| **配置**               | 單 N 溝道               | 單 N 溝道配置,適用于高電壓和低功率電流的應(yīng)用               |
| **漏源電壓 (VDS)**     | 650V                   | 最大漏源電壓 650V,適合高壓應(yīng)用,如開(kāi)關(guān)電源、電力調(diào)節(jié)系統(tǒng) |
| **柵源電壓 (VGS)**     | ±30V                   | 柵源電壓最大為 ±30V,能夠承受較高的驅(qū)動(dòng)電壓               |
| **閾值電壓 (Vth)**     | 3.5V                   | 啟動(dòng)導(dǎo)通的最小柵源電壓,確保 MOSFET 開(kāi)關(guān)穩(wěn)定               |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS=10V       | 導(dǎo)通電阻較高,適合低功率、低電流應(yīng)用                       |
| **漏極電流 (ID)**      | 4A                     | 最大漏極電流為 4A,適合較低電流需求的電路                   |
| **技術(shù)類型**           | Plannar                | 使用平面技術(shù)(Plannar),提供較好的可靠性和穩(wěn)定性           |

### 典型應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **低功率電源開(kāi)關(guān)**
  STF3N62K3-VB 適用于低功率電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其較高的導(dǎo)通電阻使其更適用于低電流的電源調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)控制電路。其最大漏極電流為 4A,非常適合用于中小功率電源系統(tǒng),如電視機(jī)電源模塊、適配器、電池充電器等設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)。由于其650V的高電壓能力,該 MOSFET 能有效處理高電壓應(yīng)用場(chǎng)景中的電流負(fù)載。

2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
  在電池管理系統(tǒng)中,STF3N62K3-VB 可以作為功率開(kāi)關(guān)控制器,用于管理電池的充放電過(guò)程。其較低的漏極電流能力使其適用于較小電流的電池包管理,同時(shí)其較高的電壓能力(650V)則能適應(yīng)不同類型電池的要求。它有助于電池充電電流的高效控制,同時(shí)保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **家用電器中的控制模塊**
  該 MOSFET 可用于家用電器中的功率控制模塊,特別是低功率需求的設(shè)備,如小型家電、控制電路板和電源模塊等。由于其具備較高的耐壓能力和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性,STF3N62K3-VB 能夠有效地管理小型家用電器的電源供電,保證其安全可靠地運(yùn)行。

4. **汽車電子應(yīng)用**
  在汽車電子系統(tǒng)中,STF3N62K3-VB 適用于電池電壓管理、車載電源系統(tǒng)以及低功率控制電路。其650V 的最大電壓和較低的電流需求使其特別適合用于電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車中的低功率開(kāi)關(guān)控制和電源管理模塊。

5. **通信設(shè)備中的電源管理**
  STF3N62K3-VB 在通信設(shè)備中也有廣泛的應(yīng)用,如基站電源、路由器電源模塊等。由于其較高的漏源電壓(650V)和較低的電流承載能力,能夠有效地管理通信設(shè)備中的電源電流,并提供穩(wěn)定的工作性能。

### 總結(jié)

STF3N62K3-VB 是一款適用于低功率、高電壓應(yīng)用的 N 溝道 MOSFET,具有 650V 的漏源電壓承受能力和較低的漏極電流能力(4A)。它廣泛適用于低功率電源開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)、家用電器控制、汽車電子以及通信設(shè)備的電源管理等領(lǐng)域。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其較高的耐壓能力和可靠性使其在各種電源調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

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