--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### STF3N62K3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
STF3N62K3-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 650V,適用于需要高電壓承受能力的電源和負(fù)載開(kāi)關(guān)。其漏極電流(ID)最大為 4A,適合中小功率電流的應(yīng)用。閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性。STF3N62K3-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ@VGS=10V,雖然其導(dǎo)通電阻相對(duì)較高,但其較低的電流承載能力使其更適用于低功率且高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。該 MOSFET 使用了平面技術(shù)(Plannar),具有較好的穩(wěn)定性和可靠性,適合在多種電子系統(tǒng)中使用。
### STF3N62K3-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **規(guī)格** | **描述** |
|------------------------|------------------------|-----------------------------------------------------------|
| **封裝** | TO220F | TO220F 封裝,提供優(yōu)異的散熱性能,適合功率較大的應(yīng)用 |
| **配置** | 單 N 溝道 | 單 N 溝道配置,適用于高電壓和低功率電流的應(yīng)用 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V | 最大漏源電壓 650V,適合高壓應(yīng)用,如開(kāi)關(guān)電源、電力調(diào)節(jié)系統(tǒng) |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V | 柵源電壓最大為 ±30V,能夠承受較高的驅(qū)動(dòng)電壓 |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5V | 啟動(dòng)導(dǎo)通的最小柵源電壓,確保 MOSFET 開(kāi)關(guān)穩(wěn)定 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS=10V | 導(dǎo)通電阻較高,適合低功率、低電流應(yīng)用 |
| **漏極電流 (ID)** | 4A | 最大漏極電流為 4A,適合較低電流需求的電路 |
| **技術(shù)類型** | Plannar | 使用平面技術(shù)(Plannar),提供較好的可靠性和穩(wěn)定性 |
### 典型應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **低功率電源開(kāi)關(guān)**
STF3N62K3-VB 適用于低功率電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其較高的導(dǎo)通電阻使其更適用于低電流的電源調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)控制電路。其最大漏極電流為 4A,非常適合用于中小功率電源系統(tǒng),如電視機(jī)電源模塊、適配器、電池充電器等設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)。由于其650V的高電壓能力,該 MOSFET 能有效處理高電壓應(yīng)用場(chǎng)景中的電流負(fù)載。
2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
在電池管理系統(tǒng)中,STF3N62K3-VB 可以作為功率開(kāi)關(guān)控制器,用于管理電池的充放電過(guò)程。其較低的漏極電流能力使其適用于較小電流的電池包管理,同時(shí)其較高的電壓能力(650V)則能適應(yīng)不同類型電池的要求。它有助于電池充電電流的高效控制,同時(shí)保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
3. **家用電器中的控制模塊**
該 MOSFET 可用于家用電器中的功率控制模塊,特別是低功率需求的設(shè)備,如小型家電、控制電路板和電源模塊等。由于其具備較高的耐壓能力和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性,STF3N62K3-VB 能夠有效地管理小型家用電器的電源供電,保證其安全可靠地運(yùn)行。
4. **汽車電子應(yīng)用**
在汽車電子系統(tǒng)中,STF3N62K3-VB 適用于電池電壓管理、車載電源系統(tǒng)以及低功率控制電路。其650V 的最大電壓和較低的電流需求使其特別適合用于電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車中的低功率開(kāi)關(guān)控制和電源管理模塊。
5. **通信設(shè)備中的電源管理**
STF3N62K3-VB 在通信設(shè)備中也有廣泛的應(yīng)用,如基站電源、路由器電源模塊等。由于其較高的漏源電壓(650V)和較低的電流承載能力,能夠有效地管理通信設(shè)備中的電源電流,并提供穩(wěn)定的工作性能。
### 總結(jié)
STF3N62K3-VB 是一款適用于低功率、高電壓應(yīng)用的 N 溝道 MOSFET,具有 650V 的漏源電壓承受能力和較低的漏極電流能力(4A)。它廣泛適用于低功率電源開(kāi)關(guān)、電池管理系統(tǒng)、家用電器控制、汽車電子以及通信設(shè)備的電源管理等領(lǐng)域。盡管其導(dǎo)通電阻較高,但其較高的耐壓能力和可靠性使其在各種電源調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛