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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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STF10NK50Z-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: STF10NK50Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**STF10NK50Z-VB** 是一款采用 **TO220F 封裝** 的 **單一 N 溝道 MOSFET**,基于 **平面(Plannar)技術**,適用于中高壓電源和開關控制應用。其 **650V 的漏源極電壓 (VDS)** 和 **12A 的最大漏極電流 (ID)**,使其非常適合用于需要高電壓和較大電流處理能力的場合。該 MOSFET 的 **低導通電阻(RDS(ON) = 680mΩ @ VGS=10V)** 進一步優化了功率損耗,提升了開關效率。憑借其穩定的閾值電壓 **3.5V**,它能提供可靠的開關性能,適用于電力電子系統中的多種模塊。

---

### 詳細參數說明

| **參數類別**        | **參數值**                     | **說明**                                                                 |
|----------------------|--------------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **封裝類型**        | TO-220F                        | 提供良好的散熱能力,適用于高功率應用,適合較大的電流和功率處理         |
| **通道配置**        | 單一 N 溝道                    | 提供高效的電流導通與開關能力                                            |
| **最大漏源極電壓 (VDS)** | 650V                           | 適合中高壓電源控制,能夠處理較高電壓的應用                              |
| **最大柵極驅動電壓 (VGS)** | ±30V                          | 提供靈活的柵極驅動電壓范圍,適應各種控制信號輸入                        |
| **閾值電壓 (Vth)**  | 3.5V                           | 較低的閾值電壓,確保更早開通,有助于提高開關效率                         |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS=10V                | 低導通電阻,減少開關損耗,提高功率傳輸效率                              |
| **最大漏極電流 (ID)** | 12A                            | 較大的漏極電流處理能力,適合更高功率負載                                |
| **技術類型**        | 平面(Plannar)                 | 提供優良的性能穩定性和較低的開關損耗,適用于各種電力轉換系統              |

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### 應用領域和模塊舉例

1. **開關電源(SMPS)**
  - **應用場景**:STF10NK50Z-VB 常用于高效的開關電源設計中,作為主開關器件。
  - **說明**:該 MOSFET 的 **650V 耐壓能力** 和 **680mΩ 的導通電阻** 使其非常適合用于高壓電源中,提供高效的電流轉換和低功率損耗,尤其在 **直流/交流(DC/AC)轉換電源** 中表現出色。

2. **電動機驅動**
  - **應用場景**:適用于電動工具、家用電器、電動汽車驅動系統等。
  - **說明**:STF10NK50Z-VB 的 **12A 的最大漏極電流** 使其適用于需要較大電流處理的電機驅動系統中。無論是低功率還是高功率的電動機控制,這款 MOSFET 都能提供穩定的性能,確保驅動系統的高效運行。

3. **太陽能逆變器**
  - **應用場景**:在太陽能光伏系統的逆變器中,將直流電轉換為交流電。
  - **說明**:憑借其高 **650V 的耐壓能力** 和 **平面技術(Plannar)** 提供的低損耗特性,STF10NK50Z-VB 在太陽能逆變器中的使用能夠提升整體效率,減少能量轉換過程中的損失,特別適合需要高電壓和高可靠性的逆變器應用。

4. **電池管理系統(BMS)**
  - **應用場景**:用于電池的充放電控制模塊,確保電池系統的安全與高效運行。
  - **說明**:該 MOSFET 的 **650V 耐壓** 和 **較低的導通電阻** 使其適用于電池管理系統中的高效電流控制,尤其在需要快速響應和穩定性的電池充放電過程中,表現出色。

5. **工業電力控制系統**
  - **應用場景**:工業自動化系統中的電力開關與控制模塊。
  - **說明**:STF10NK50Z-VB 由于其 **650V 的高電壓承受能力** 和 **12A 的電流承載能力**,是理想的選擇,廣泛應用于電力控制系統中的開關電源、變頻器等高功率系統。

通過其優越的電壓和電流處理能力,**STF10NK50Z-VB** 在需要穩定高效電力控制的應用中表現優異,尤其適用于電源系統、電機驅動、太陽能逆變器等領域。

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