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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SSS7N60A-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: SSS7N60A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### SSS7N60A-VB 產品簡介

SSS7N60A-VB 是一款 **TO220F 封裝** 的 **單 N 溝道功率 MOSFET**,采用 **Plannar 技術**。該 MOSFET 的最大 **漏源電壓(VDS)** 為 **650V**,適用于高電壓場合。其 **閾值電壓(Vth)** 為 **3.5V**,適合多種電源管理和開關控制應用。SSS7N60A-VB 的 **導通電阻(RDS(ON))** 為 **1100mΩ(VGS = 10V)**,在較高柵源電壓下仍能夠提供有效的電流控制,最大 **漏極電流(ID)** 為 **7A**。該型號在大功率應用中表現出色,能夠高效處理高電壓和電流。

### SSS7N60A-VB 參數詳解

1. **封裝類型:** TO220F
2. **配置:** 單 N 溝道
3. **最大漏源電壓(VDS):** 650V
4. **最大柵源電壓(VGS):** ±30V
5. **閾值電壓(Vth):** 3.5V
6. **導通電阻(RDS(ON)):** 
  - **1100mΩ**:當柵源電壓為 10V
7. **最大漏極電流(ID):** 7A
8. **技術特性:** Plannar 技術
9. **應用領域:** 高電壓電源管理、電機驅動、逆變器、功率控制等

### 適用領域和模塊示例

1. **電源管理系統:**
  SSS7N60A-VB 在 **電源管理系統** 中表現優異,特別是用于 **開關電源(SMPS)**、**DC-DC 轉換器** 和 **AC-DC 轉換器**。其 **650V** 的漏源電壓使其適用于高電壓的電源系統,而其低導通電阻確保了高效率。該 MOSFET 可有效控制大功率電流,在電力轉換和電池管理中提供高效能。

2. **逆變器:**
  SSS7N60A-VB 適用于各種 **逆變器**,特別是在 **太陽能逆變器**、**風能逆變器** 和 **電動汽車(EV)充電站逆變器** 中。其高電壓承受能力和低導通電阻使其在大功率逆變應用中表現出色。該 MOSFET 可將直流電轉換為交流電,廣泛應用于可再生能源和電力系統。

3. **工業電機驅動:**
  在 **工業電機驅動系統** 中,SSS7N60A-VB 可以作為開關器件,應用于 **電動工具驅動、機器人控制系統** 和 **電動機控制器**。其高電壓和中等電流承載能力適合大多數工業電機控制應用,提供精準的電流和功率控制。

4. **電力電子系統:**
  SSS7N60A-VB 可用于 **電力電子系統**,如 **電源模塊、電壓變換器和高效電源管理系統**。該 MOSFET 提供穩定的高電壓開關,廣泛用于現代電子設備中,需要高可靠性和高電壓耐受性。

5. **高效電源轉換器:**
  在 **高效電源轉換器** 中,SSS7N60A-VB 具有低導通電阻和高電壓能力,適用于處理高電壓電源轉換和大功率負載。特別是在 **UPS 系統(不間斷電源)** 和 **高功率電池充電器** 中,能夠確保電流的高效轉換和穩定輸出。

### 總結

SSS7N60A-VB 是一款 **650V** 漏源電壓、**7A** 漏極電流的 **N 溝道功率 MOSFET**,廣泛應用于高電壓電源管理、工業電機驅動、逆變器、功率電子系統等領域。憑借其 **Plannar 技術** 和適中的導通電阻,SSS7N60A-VB 可為多個高功率電氣應用提供高效、可靠的電流控制。

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