--- 產品參數 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介 - SiHFI720G-VB
**SiHFI720G-VB** 是一款 **N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封裝,適用于高壓、大功率的開關應用。其最大漏源電壓(VDS)為 **650V**,適合在中高壓的電源管理、電流控制和功率轉換應用中使用。該器件的最大漏極電流(ID)為 **4A**,導通電阻(RDS(ON))為 **2560mΩ** 在 VGS = 10V 下,具有較高的導通電阻,適合在功率損耗相對不敏感的低電流應用中使用。
**SiHFI720G-VB** 采用 **Plannar** 技術,具有良好的電流傳輸特性和較強的耐壓性能。雖然其導通電阻較高,但在一些中等功率、電壓要求高的應用中,依然可以提供穩定的性能和可靠性,廣泛應用于 **高壓電源** 和 **功率控制** 電路。
### 詳細參數說明
- **封裝類型 (Package)**: TO220F
- **配置 (Configuration)**: 單 N-Channel MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **最大功率耗散 (Pd)**: 100W
- **工作溫度范圍 (Tj)**: -55°C 至 150°C
- **柵電荷 (Qg)**: 50nC @ VDS = 50V, VGS = 10V
- **反向恢復時間 (trr)**: 45ns
- **技術 (Technology)**: Plannar
### 適用領域和模塊舉例
1. **高壓電源管理 (High Voltage Power Management)**
**SiHFI720G-VB** 的 **650V** 漏源電壓使其非常適用于 **高壓電源管理** 系統。在需要高壓控制和電流開關的應用中,如電力轉換、電源適配器和 **DC-DC 轉換器** 中,可以使用該器件有效地開關電源,以確保設備穩定運行。
2. **功率轉換器和逆變器 (Power Converters and Inverters)**
該 MOSFET 可以廣泛應用于 **功率轉換器** 和 **逆變器** 中,特別是在太陽能逆變器、風能逆變器等可再生能源轉換系統中。由于其 **650V** 的耐壓特性,**SiHFI720G-VB** 在高壓輸出階段能夠有效進行電流控制和轉換。
3. **電機驅動電路 (Motor Drive Circuits)**
**SiHFI720G-VB** 可用于電機控制電路,尤其是在中等功率的 **DC 電機驅動系統** 中。由于其 **650V** 的耐壓能力,適用于高壓電機控制應用,提供穩定的功率開關能力,用于電動工具、電動汽車和電動設備等領域。
4. **功率開關和負載控制 (Power Switching and Load Control)**
在 **功率開關** 和 **負載控制** 應用中,**SiHFI720G-VB** 可作為主要的開關器件,用于 **AC-DC 電源轉換**,**穩壓電源** 和 **高功率開關電源系統**,提供可靠的電流開關功能。
5. **家用電器電源 (Home Appliance Power Supply)**
**SiHFI720G-VB** 也適用于一些高電壓家電的電源管理系統,如 **微波爐**、**冰箱**、**空調** 等,這些家用電器需要高耐壓和中等功率的 MOSFET 來實現電源轉換和功率控制。
6. **汽車電子 (Automotive Electronics)**
在 **汽車電子** 中,**SiHFI720G-VB** 可以用于電池管理、電動汽車的電池充放電控制,以及車載電源的調節電路。由于其良好的耐高壓性能,能夠有效支持汽車中的高壓電子系統,確保安全穩定的運行。
7. **照明控制系統 (Lighting Control Systems)**
在 **LED 照明控制系統** 和 **智能照明解決方案** 中,SiHFI720G-VB 可以用于 **高壓 LED 驅動電源**,特別是在大功率 LED 照明應用中,通過穩定開關控制,調節電流以確保高效照明。
### 總結
**SiHFI720G-VB** 是一款 **650V** 漏源電壓的 **N-Channel MOSFET**,具有較高的導通電阻 **2560mΩ** 和適中的最大漏極電流 **4A**。其廣泛應用于 **高壓電源管理**、**功率轉換**、**電機驅動**、**負載控制** 等領域,適用于需要高壓控制和開關功能的中等功率應用。盡管導通電阻較高,但在大多數中功率電源系統中,它仍然能夠提供可靠、穩定的性能,并為電源管理和電機控制等系統提供高效能的開關解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12