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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RU6H10P-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): RU6H10P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RU6H10P-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計(jì)用于650V的高壓電源應(yīng)用。其30V的柵源電壓(VGS)范圍和3.5V的門檻電壓(Vth)確保了設(shè)備在高壓工作環(huán)境下的可靠性。RU6H10P-VB在10V的柵源電壓下,具有680mΩ的導(dǎo)通電阻,最大漏電流可達(dá)12A。采用平面結(jié)構(gòu)技術(shù)(Plannar),該MOSFET在高電壓條件下具備穩(wěn)定的性能,特別適用于需要高電壓隔離和控制的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: RU6H10P-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**: 12A
- **技術(shù)**: 平面結(jié)構(gòu)(Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: RU6H10P-VB適合高壓電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換,尤其適用于工業(yè)電源設(shè)備和通信基站的電源管理,提供高效率的能量轉(zhuǎn)換。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: 該MOSFET在工業(yè)和家用電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制中可提供可靠的高壓隔離和電流控制,適合用于高壓直流(HVDC)電機(jī)控制應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)精確的功率調(diào)節(jié)。

3. **UPS系統(tǒng)**: 在不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,RU6H10P-VB能夠用于高壓側(cè)的電力開關(guān)管理,確保高電壓條件下的持續(xù)供電,增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性。

4. **LED照明驅(qū)動(dòng)**: 在LED照明驅(qū)動(dòng)器中,特別是工業(yè)照明和路燈等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中,該器件可用于高壓控制電路,支持安全、穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié),延長(zhǎng)LED組件的使用壽命。

5. **太陽能逆變器**: RU6H10P-VB適合在太陽能光伏逆變器中用作高壓側(cè)開關(guān)元件,幫助將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,實(shí)現(xiàn)高效的能量傳輸和功率管理。

RU6H10P-VB憑借其高耐壓和可靠的電流控制能力,在多種高壓應(yīng)用中提供穩(wěn)定性能,非常適合電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽能逆變器等場(chǎng)景。

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