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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MDF4N60TH-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MDF4N60TH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### MDF4N60TH-VB MOSFET 產品簡介

MDF4N60TH-VB 是一款高壓單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設計用于高電壓和中等功率的應用場合。它具備 650V 的漏源電壓 (VDS),適用于需要高電壓控制的電路。其柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±30V,靈活應對多種驅動電壓。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,確保在合適的柵極驅動電壓下可以穩定工作。導通電阻 (RDS(ON)) 為 2560mΩ@VGS=10V,適用于中等功率的開關電源和高電壓電路中。其最大漏極電流 (ID) 為 4A,采用平面型工藝(Plannar)技術,具備可靠的電氣性能。

---

### 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO220F  
 - 這種封裝具有較好的散熱性能,適合高壓場合。

- **配置**:單 N 溝道  
 - 提供單一導電通道,便于控制高電壓開關操作。

- **VDS(漏源電壓)**:650V  
 - 高電壓能力,適合于高壓電源轉換與工業電源應用。

- **VGS(柵源電壓)**:±30V  
 - 提供靈活的驅動電壓范圍,增強電路設計的靈活性。

- **Vth(閾值電壓)**:3.5V  
 - 確保適當的導通狀態,提高開關電路穩定性。

- **RDS(ON) @ VGS=10V**:2560mΩ  
 - 在中等電流下具有較高的導通電阻,適用于控制電流不大的高壓電路。

- **ID(最大漏極電流)**:4A  
 - 適合中等功率的負載需求,保證高壓電路的安全運行。

- **技術**:平面型 (Plannar)  
 - 提供可靠的開關性能,并降低功耗損失。

---

### 應用領域與模塊

1. **高壓 LED 驅動電路**:MDF4N60TH-VB 非常適用于高壓 LED 照明系統中的驅動電路。其高電壓能力和中等電流承載能力,使其在高壓 LED 電源設計中能夠有效地控制電流,保證照明的穩定性和可靠性。

2. **工業電源模塊**:該 MOSFET 可應用于工業電源模塊中,適用于高壓直流變換器 (DC-DC) 和開關電源 (SMPS),幫助優化系統能效并減少熱損耗。

3. **電池管理系統 (BMS)**:在電動工具、電動交通工具的電池管理系統中,MDF4N60TH-VB 能夠處理高壓電池組的電源管理,確保電池安全充放電。

4. **逆變器電路**:適用于太陽能發電和風能發電等可再生能源系統中的逆變器模塊,能夠在高電壓下實現可靠的功率轉換,并提高能源利用效率。

5. **工業控制系統**:在工業控制應用中,如高壓電機控制和電源控制設備,MDF4N60TH-VB 可以作為關鍵的高壓開關元件,確保電路在高電壓環境下的安全運行。

6. **電感加熱設備**:適合應用于電感加熱設備中,高電壓 MOSFET 能夠有效提高加熱效率,確保設備穩定工作。

綜上所述,MDF4N60TH-VB 是一款設計用于高壓應用的 MOSFET,適合用于高壓電源、電池管理、照明控制和工業設備中。它的高電壓支持和中等電流處理能力使其在這些應用中表現出色。

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