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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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KF3N50FZ-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: KF3N50FZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### KF3N50FZ-VB MOSFET 產品簡介:

KF3N50FZ-VB 是一款單極 N 通道功率 MOSFET,專為高電壓開關應用而設計。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,柵源電壓(VGS)額定值為 ±30V,使其非常適合需要可靠開關的高電壓電路。閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保高效的柵控,同時在 VGS=10V 時的 RDS(ON) 為 2560mΩ,可以在中等電流操作中將導通損耗降至最低。該 MOSFET 的電流處理能力(ID)為 4A,采用平面技術制造,適合一致的性能和強大的開關過渡處理能力。

### 詳細參數說明:

1. **封裝**:TO220F  
  - 完全絕緣的封裝,提供良好的散熱性能,并在 MOSFET 與散熱器之間提供電氣絕緣,適用于高電壓應用。

2. **配置**:單極 N 通道  
  - 一種簡單易用的配置,其中 N 通道 MOSFET 是主要開關。

3. **VDS(漏源電壓)**:650V  
  - MOSFET 可承受最高 650V 的漏源電壓,適合高電壓電源電路。

4. **VGS(柵源電壓)**:±30V  
  - 柵源電壓限制允許在控制電壓可能發生波動的環境中運行。

5. **Vth(閾值電壓)**:3.5V  
  - MOSFET 需要 3.5V 的柵源電壓才能開啟,使其對標準控制邏輯反應靈敏。

6. **RDS(ON)(導通電阻)**:2560mΩ @ VGS=10V  
  - 相對較高的導通電阻意味著該器件更適合低功率負載,且在高效能不是首要目標的情況下使用。

7. **ID(連續漏電流)**:4A  
  - MOSFET 可以處理高達 4A 的連續電流,適合中等電流開關應用。

8. **技術**:平面技術  
  - 平面 MOSFET 技術以其簡單性和可靠性著稱,特別適用于對開關速度要求不是很高的應用。

### 應用實例:

1. **消費電子的電源供應**:  
  KF3N50FZ-VB MOSFET 可用于低功率 AC-DC 轉換器,特別是在小型至中型電源的 PFC(功率因數校正)或輸出整流階段。例如,在臺式機電源適配器或液晶電視電源板中,該器件的高 VDS 額定值確保在高電壓開關中可靠運行。

2. **家電的電動機驅動控制**:  
  由于其 650V 的 VDS 額定值,這款 MOSFET 適合用于家電如洗衣機或冰箱的電動機控制應用。該 MOSFET 可以在此類設備的逆變器電路中使用,以驅動中等功率需求的電動機。

3. **照明系統**:  
  在工業或戶外 LED 照明系統的照明鎮流器中,KF3N50FZ-VB MOSFET 可用于控制高電壓開關操作,特別是在對效率和尺寸約束不如高效照明要求苛刻的環境中。

4. **HVAC 系統**:  
  該 MOSFET 可在加熱、通風和空調(HVAC)系統中實施,用于切換中等電流需求的高電壓負載。它可能是管理壓縮機和風扇電動機的控制模塊的一部分。

5. **工業電源逆變器**:  
  在不需要超高效率但需處理高電壓的小型工業逆變器中,KF3N50FZ-VB MOSFET 可管理逆變器電路中的開關操作,為中功率應用提供可靠選項。

這款 MOSFET 非常適合在高電壓下對成本效益和穩健性要求較高的應用,而不是在超高頻率下最小化損耗或快速開關。

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