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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K6A50D-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K6A50D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K6A50D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K6A50D-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計。該器件的漏源極電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,最大漏極電流 (ID) 為 7A,適合多種電源管理、開關(guān)和驅(qū)動應(yīng)用。K6A50D-VB 在 VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ,保證了低功耗和高效能的開關(guān)操作。其使用的 Plannar 技術(shù)提高了整體的導(dǎo)通性能和可靠性,適合在電力電子設(shè)備中發(fā)揮作用。

### K6A50D-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:Plannar(平面技術(shù))

### K6A50D-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**:K6A50D-VB 非常適合用于電源管理應(yīng)用,如開關(guān)電源(SMPS)和逆變器。這款MOSFET 可以有效地管理和調(diào)節(jié)電流,確保在高電壓操作下的可靠性和效率,適用于電源適配器、充電器和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備等。

2. **電動工具**:在電動工具中,該MOSFET 可用于電機(jī)驅(qū)動電路。它的高電壓和中等電流能力使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下提供穩(wěn)定的性能,適合于電動鉆、鋸和其他電動設(shè)備。

3. **汽車電子**:K6A50D-VB 適用于汽車電子系統(tǒng)中的電源調(diào)節(jié)和電池管理。這使其能夠在車載充電器、動力總成控制和其他關(guān)鍵電子模塊中實現(xiàn)高效能和可靠性。

4. **LED驅(qū)動應(yīng)用**:在LED照明和顯示控制方面,這款MOSFET 也能發(fā)揮重要作用。其低導(dǎo)通電阻和高電壓特性使其適合于驅(qū)動高功率LED,從而確保穩(wěn)定的光輸出和良好的熱管理。

5. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:K6A50D-VB 適合用于各種工業(yè)控制系統(tǒng),包括可編程邏輯控制器(PLC)和伺服控制系統(tǒng)。由于其高電壓能力,該MOSFET 可以在電機(jī)控制和自動化設(shè)備中確保高效的開關(guān)操作,提高整個系統(tǒng)的效率。

K6A50D-VB 以其出色的性能和廣泛的適用性,成為電力電子和自動化領(lǐng)域的重要選擇,支持多種高電壓和中等電流的應(yīng)用。

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