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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K40A08K3-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K40A08K3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K40A08K3-VB 產品簡介

K40A08K3-VB 是一款采用 TO220F 封裝的高壓單 N 通道 MOSFET,旨在滿足高電壓和中等電流的應用需求。該器件的最大漏極源極電壓 (VDS) 高達 650V,適合在要求高耐壓的電源管理系統中使用。其柵極源極電壓 (VGS) 額定為 ±30V,保證了在多種驅動環境下的可靠性。該 MOSFET 的閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,提供了良好的開關性能。RDS(ON) 在 VGS=10V 時為 2560mΩ,確保了較低的導通損耗。最大漏電流 (ID) 為 4A,基于 Plannar 技術,適用于廣泛的應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型號               | K40A08K3-VB          |
| 封裝               | TO220F               |
| 配置               | 單 N 通道            |
| 最大漏極源極電壓 (VDS) | 650V                 |
| 最大柵極源極電壓 (VGS) | ±30V                |
| 閾值電壓 (Vth)    | 3.5V                 |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2560mΩ @ VGS=10V     |
| 最大漏電流 (ID)   | 4A                   |
| 技術               | Plannar              |

### 應用領域和模塊示例

K40A08K3-VB MOSFET 適用于多種領域和模塊,以下是一些典型應用:

1. **高壓電源管理**:由于其650V的高漏極源極電壓,K40A08K3-VB 非常適合用于高壓電源轉換器和電源適配器,能夠穩定地控制電流并提高轉換效率。

2. **工業控制**:該 MOSFET 可以在各種工業設備中用作開關元件,尤其是在電機驅動控制和加熱元件的驅動中,保證設備在高電壓條件下的可靠性和安全性。

3. **光伏逆變器**:在太陽能光伏逆變器中,K40A08K3-VB 可以用于高效地轉換和管理從太陽能電池板到電網或電池的電流,確保系統在不同負載條件下的穩定工作。

4. **電動車充電站**:在電動車充電站中,該 MOSFET 可用于高壓充電設備,確保充電過程的高效和安全,支持快速充電。

5. **LED驅動電路**:在大功率LED照明應用中,K40A08K3-VB 可用于驅動電源,提供穩定的電流輸出,以實現高亮度和長壽命的LED照明。

綜上所述,K40A08K3-VB MOSFET 由于其高壓和中等電流能力,能夠在多種領域和應用中提供可靠的電源解決方案,滿足現代電子設備的高性能需求。

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