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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2618ALS-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2618ALS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### K2618ALS-VB MOSFET 產品簡介

K2618ALS-VB是一款**高壓單N通道MOSFET**,采用**TO220F封裝**,專為高電壓和中等電流應用設計。其**漏極到源極電壓(VDS)**高達**650V**,使其在高電壓電路中表現優異。該器件的**導通電阻(RDS(ON))**為**1100mΩ**,在VGS=10V時提供合理的導通性能。其**閾值電壓(Vth)**為**3.5V**,適合快速開關操作,而**最大漏極電流(ID)**為**7A**,適合多種中等功率應用。采用**Plannar技術**制造,K2618ALS-VB具有良好的穩定性和可靠性,適合在嚴苛環境下工作。

### 詳細參數說明

1. **封裝**: TO220F  
  TO220F封裝提供了良好的散熱能力和空間利用率,適合高功率應用。

2. **配置**: 單N通道  
  單N通道設計使得K2618ALS-VB在開關和放大應用中具有高效性能。

3. **VDS(漏極到源極電壓)**: 650V  
  高達650V的漏極電壓能力使其能夠在高電壓應用中有效運行。

4. **VGS(柵極到源極電壓)**: ±30V  
  提供靈活的柵極驅動電壓,適用于不同的電路設計需求。

5. **Vth(閾值電壓)**: 3.5V  
  較低的閾值電壓保證了快速的開關操作,適合各種開關應用。

6. **RDS(ON)(導通電阻)**:  
  - **1100mΩ @ VGS=10V**  
  在高電流條件下,該導通電阻提供了合理的功耗管理。

7. **ID(漏極電流)**: 7A  
  最大漏極電流能力為7A,適合中等功率應用的要求。

8. **技術**: Plannar  
  Plannar技術的設計確保了MOSFET的穩定性和高壓性能,適合多種電源管理應用。

### 應用領域和模塊示例

1. **高壓電源供應**  
  K2618ALS-VB適用于**高壓電源供應系統**,能有效管理和轉換高電壓電源,廣泛應用于工業電源和電力系統,滿足高電壓負載的需求。

2. **電機驅動**  
  該MOSFET可用于**電機驅動系統**,能夠控制電機的啟動和運行,尤其在高壓直流電機和交流電機控制中,保證了電機的可靠性和效率。

3. **變頻器**  
  K2618ALS-VB在**變頻器**應用中表現良好,能夠處理高電壓和高頻信號,適用于空調、泵和其他需要變頻驅動的設備。

4. **電源開關**  
  該器件適合用作各種**電源開關**,如電力繼電器和開關電源,能夠安全地切換高電壓負載,確保設備的穩定運行。

5. **電源管理模塊**  
  K2618ALS-VB可以應用于**電源管理模塊**,用于高壓電源的調節和監控,適合各種電力電子設備,提供高效的電源管理解決方案。

總的來說,K2618ALS-VB以其高電壓能力和適中的導通性能,在高壓電源、電機驅動及其他工業應用中展現出良好的適用性,為各種電力解決方案提供可靠支持。

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