--- 產品參數 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### K2618ALS-VB MOSFET 產品簡介
K2618ALS-VB是一款**高壓單N通道MOSFET**,采用**TO220F封裝**,專為高電壓和中等電流應用設計。其**漏極到源極電壓(VDS)**高達**650V**,使其在高電壓電路中表現優異。該器件的**導通電阻(RDS(ON))**為**1100mΩ**,在VGS=10V時提供合理的導通性能。其**閾值電壓(Vth)**為**3.5V**,適合快速開關操作,而**最大漏極電流(ID)**為**7A**,適合多種中等功率應用。采用**Plannar技術**制造,K2618ALS-VB具有良好的穩定性和可靠性,適合在嚴苛環境下工作。
### 詳細參數說明
1. **封裝**: TO220F
TO220F封裝提供了良好的散熱能力和空間利用率,適合高功率應用。
2. **配置**: 單N通道
單N通道設計使得K2618ALS-VB在開關和放大應用中具有高效性能。
3. **VDS(漏極到源極電壓)**: 650V
高達650V的漏極電壓能力使其能夠在高電壓應用中有效運行。
4. **VGS(柵極到源極電壓)**: ±30V
提供靈活的柵極驅動電壓,適用于不同的電路設計需求。
5. **Vth(閾值電壓)**: 3.5V
較低的閾值電壓保證了快速的開關操作,適合各種開關應用。
6. **RDS(ON)(導通電阻)**:
- **1100mΩ @ VGS=10V**
在高電流條件下,該導通電阻提供了合理的功耗管理。
7. **ID(漏極電流)**: 7A
最大漏極電流能力為7A,適合中等功率應用的要求。
8. **技術**: Plannar
Plannar技術的設計確保了MOSFET的穩定性和高壓性能,適合多種電源管理應用。
### 應用領域和模塊示例
1. **高壓電源供應**
K2618ALS-VB適用于**高壓電源供應系統**,能有效管理和轉換高電壓電源,廣泛應用于工業電源和電力系統,滿足高電壓負載的需求。
2. **電機驅動**
該MOSFET可用于**電機驅動系統**,能夠控制電機的啟動和運行,尤其在高壓直流電機和交流電機控制中,保證了電機的可靠性和效率。
3. **變頻器**
K2618ALS-VB在**變頻器**應用中表現良好,能夠處理高電壓和高頻信號,適用于空調、泵和其他需要變頻驅動的設備。
4. **電源開關**
該器件適合用作各種**電源開關**,如電力繼電器和開關電源,能夠安全地切換高電壓負載,確保設備的穩定運行。
5. **電源管理模塊**
K2618ALS-VB可以應用于**電源管理模塊**,用于高壓電源的調節和監控,適合各種電力電子設備,提供高效的電源管理解決方案。
總的來說,K2618ALS-VB以其高電壓能力和適中的導通性能,在高壓電源、電機驅動及其他工業應用中展現出良好的適用性,為各種電力解決方案提供可靠支持。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12