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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K1553-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K1553-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1553-01MR-VB 產(chǎn)品簡介

K1553-01MR-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝設(shè)計,適用于需要高壓和中等電流的應(yīng)用。該器件的漏源電壓(VDS)高達(dá) 650V,能夠承受高壓工作環(huán)境,確保在高負(fù)載下的可靠性。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ,在 VGS=10V 時表現(xiàn)良好,適合高電源效率的要求。該產(chǎn)品的閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保在適當(dāng)?shù)臇烹妷合录纯捎行?dǎo)通,廣泛應(yīng)用于電源管理和開關(guān)控制領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:K1553-01MR-VB
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏極源電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

K1553-01MR-VB 在多個領(lǐng)域中展現(xiàn)了其廣泛的應(yīng)用潛力,具體包括:

1. **開關(guān)電源**:
  - K1553-01MR-VB 可用于高壓開關(guān)電源(SMPS),在電源轉(zhuǎn)換過程中提供穩(wěn)定的導(dǎo)通特性和較低的功耗,從而提高整體能效。

2. **電機(jī)控制**:
  - 在電機(jī)控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以有效地用于高壓直流電機(jī)的驅(qū)動,確保在啟動和運(yùn)行期間的高可靠性和效率。

3. **光伏逆變器**:
  - 該器件適合用于光伏系統(tǒng)中的逆變器,以高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,適應(yīng)高電壓的光伏發(fā)電環(huán)境。

4. **電力傳輸和分配**:
  - K1553-01MR-VB 可以應(yīng)用于高壓電力傳輸系統(tǒng)中的開關(guān)設(shè)備,確保在大功率和高電壓條件下的安全和有效運(yùn)行。

綜上所述,K1553-01MR-VB 是一款性能優(yōu)越的高壓 N 溝道 MOSFET,適用于多種高電壓和高效率的電子應(yīng)用,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對電源管理的需求。

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