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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K10A60D5-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K10A60D5-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K10A60D5-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K10A60D5-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專(zhuān)為高壓電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,適合各種工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品中的高電壓需求。該 MOSFET 的門(mén)限電壓 (Vth) 為 3.5V,確保其在較低柵源電壓下快速導(dǎo)通,提升了系統(tǒng)的響應(yīng)速度。K10A60D5-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS 為 10V 時(shí)為 680mΩ,能夠支持最高達(dá) 12A 的漏極電流 (ID),這使得它在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合需要高能效和高可靠性的電路設(shè)計(jì)。

---

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: K10A60D5-VB  
- **封裝**: TO220F  
- **配置**: 單 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **門(mén)限電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 680mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 12A  
- **技術(shù)類(lèi)型**: Plannar  
- **最大功耗 (PD)**: 60W  
- **熱阻 (RθJC)**: 1.5°C/W  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

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### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊說(shuō)明

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: K10A60D5-VB 可廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,利用其高壓和高電流能力,確保系統(tǒng)在高負(fù)載下的穩(wěn)定性和高效能,特別是在電腦電源和工業(yè)電源模塊中。

2. **電動(dòng)機(jī)控制**: 該 MOSFET 適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,尤其在需要高效率和快速響應(yīng)的情況下,如在電動(dòng)工具和電動(dòng)交通工具的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,幫助實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)的控制和更長(zhǎng)的電池壽命。

3. **逆變器應(yīng)用**: K10A60D5-VB 適合用于太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系統(tǒng),可以有效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,支持高電壓和高功率的電能轉(zhuǎn)換,提升可再生能源的利用效率。

4. **LED 照明**: 該 MOSFET 可用于高功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路,提供穩(wěn)定的電流輸出,確保 LED 照明的亮度和一致性,特別適合在商業(yè)和工業(yè)照明解決方案中應(yīng)用。

5. **高頻開(kāi)關(guān)電路**: 由于其較低的導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)特性,K10A60D5-VB 適用于高頻率的開(kāi)關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備和計(jì)算機(jī)系統(tǒng),幫助提高整體的能效和響應(yīng)速度。

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