国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

XP131A1235SR-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: XP131A1235SR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介(XP131A1235SR-VB)

XP131A1235SR-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,專為低電壓、大電流應用設計,廣泛應用于電源管理、負載開關以及各種低壓高效能電源轉換應用。它的最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V。該 MOSFET 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS = 10V 時僅為 8mΩ,在 VGS = 4.5V 時為 11mΩ,具有超低的導通電阻和出色的電流導通能力。其最大漏極電流(ID)為 13A,能夠滿足高電流負載的需求。采用 Trench 技術制造,具有高效的電流控制能力,適用于各種中低電壓電源和負載控制應用。XP131A1235SR-VB 提供了一個穩定、高效的電源管理解決方案,尤其適合于高效能、低功耗的電池驅動設備。

### 2. 詳細參數說明

| **參數**                | **說明**                                                                 |
|-------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **型號**                | XP131A1235SR-VB                                                           |
| **封裝**                | SOP8                                                                     |
| **配置**                | 單極性 N 通道                                                           |
| **最大漏源電壓 (VDS)**  | 30V                                                                      |
| **柵源電壓 (VGS)**      | ±20V                                                                     |
| **閾值電壓 (Vth)**      | 1.7V                                                                     |
| **導通電阻 (RDS(ON))**  | 11mΩ(VGS=4.5V),8mΩ(VGS=10V)                                         |
| **最大漏極電流 (ID)**   | 13A                                                                      |
| **技術類型**            | Trench 技術                                                              |

- **VDS**:最大漏源電壓為 30V,適用于中低電壓的開關電源和負載控制。
- **VGS**:柵源電壓為 ±20V,適應常見的柵極驅動電壓范圍,確保在多種應用中的穩定工作。
- **Vth**:閾值電壓為 1.7V,確保在較低的柵電壓下即能啟動工作,提供快速響應的開關特性。
- **RDS(ON)**:導通電阻在 VGS = 10V 時為 8mΩ,VGS = 4.5V 時為 11mΩ,具有極低的導通損耗,適合高效能電源系統。
- **ID**:最大漏極電流為 13A,適用于較高電流負載的控制,提供優異的開關性能。

### 3. 適用領域和模塊

XP131A1235SR-VB 適用于以下領域和模塊:

- **電源管理系統**:該 MOSFET 在開關電源、DC-DC 轉換器、正負電源模塊中表現優異。其低導通電阻和高電流承載能力使其成為高效能電源管理模塊的理想選擇,能夠在電源轉換過程中提供最低的能量損耗。

- **便攜式設備和移動應用**:XP131A1235SR-VB 具有優良的開關特性,特別適用于便攜式設備和移動應用中,如智能手機、平板電腦、便攜電池充電器等。其低功耗和高效能特性可以延長電池的使用時間。

- **電池管理系統(BMS)**:該 MOSFET 可用于電池管理系統中的開關控制應用,如電池的充放電控制、過流保護、短路保護等。由于其低導通電阻,它能夠減少熱量產生,優化電池效率。

- **汽車電子**:XP131A1235SR-VB 適用于汽車電源管理系統中,如汽車LED燈控制、電子駐車制動系統、車載充電器等。其高可靠性和高效能能夠滿足汽車電子系統對功率管理和能源轉換的高要求。

- **智能家居設備**:在智能家居設備中,XP131A1235SR-VB 可用于智能插座、LED照明控制、自動化電源開關等模塊,能夠實現高效的電源管理和開關控制。

- **工業控制系統**:XP131A1235SR-VB 還可用于工業控制系統中的負載開關、繼電器替代模塊和電源轉換模塊。它的低導通電阻和高電流能力能夠有效提高控制系統的效率和響應速度。

- **消費類電子產品**:在消費類電子產品中,XP131A1235SR-VB 可用于低功耗設備和高效率電源模塊中,如智能手表、可穿戴設備、音響系統等,提供穩定的電源轉換和管理。

綜上所述,XP131A1235SR-VB 是一款具備低導通電阻、高電流承載能力的 N 通道 MOSFET,適用于多種中低電壓電源管理和負載控制應用,特別是在便攜式設備、電池管理、汽車電子、智能家居等領域,能夠提供高效、穩定的電源轉換與管理方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    467瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    405瀏覽量