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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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UT4392G-S08-R-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: UT4392G-S08-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介 - UT4392G-S08-R-VB

**UT4392G-S08-R-VB** 是一款采用 **SOP8** 封裝的單極性 **N 型功率 MOSFET**,設(shè)計用于低電壓和高效率的功率開關(guān)應(yīng)用。該 MOSFET 的最大 **漏源電壓(VDS)** 為 **30V**,適用于中等電壓范圍的應(yīng)用。**柵源電壓(VGS)** 可達到 **±20V**,并具有 **1.7V** 的 **柵源閾值電壓(Vth)**,能夠在較低柵源電壓下實現(xiàn)導(dǎo)通。**RDS(ON)** 在 **VGS = 4.5V** 時為 **11mΩ**,在 **VGS = 10V** 時降至 **8mΩ**,提供非常低的導(dǎo)通損耗,適用于高電流和高效率的場合。該 MOSFET 的最大漏極電流(ID)為 **13A**,可以承受較大電流的負(fù)載,保證高效的電流傳輸。采用 **Trench** 技術(shù),具有優(yōu)化的開關(guān)性能和更低的導(dǎo)通電阻。

### 2. 詳細(xì)的參數(shù)說明

| 參數(shù)           | 說明                          |
| -------------- | ----------------------------- |
| **型號**       | UT4392G-S08-R-VB               |
| **封裝**       | SOP8                          |
| **配置**       | 單極性 N 型 MOSFET            |
| **VDS**        | 30V                           |
| **VGS**        | ±20V                          |
| **Vth**        | 1.7V                          |
| **RDS(ON)**    | 11mΩ @ VGS = 4.5V             |
|                | 8mΩ @ VGS = 10V               |
| **ID**         | 13A                           |
| **技術(shù)**       | Trench(溝槽)技術(shù)            |
| **最大功率**   | 約 50W (根據(jù)應(yīng)用電流和電壓決定) |
| **工作溫度范圍** | -55°C 至 +150°C               |

- **VDS**:最大漏源電壓為 **30V**,適合低電壓應(yīng)用,如電池驅(qū)動系統(tǒng)和低電壓電源轉(zhuǎn)換。
- **VGS**:柵源電壓最大值為 **±20V**,提供較大的控制電壓范圍,適用于多種電壓環(huán)境。
- **Vth**:柵源閾值電壓為 **1.7V**,在較低柵源電壓下便可導(dǎo)通,提高了開關(guān)的響應(yīng)速度。
- **RDS(ON)**:導(dǎo)通電阻在 **VGS = 10V** 時為 **8mΩ**,在 **VGS = 4.5V** 時為 **11mΩ**,適用于高電流應(yīng)用,減少功率損耗。
- **ID**:最大漏極電流為 **13A**,可承受較大電流負(fù)載,保證穩(wěn)定的工作性能。
- **技術(shù)**:采用 **Trench** 技術(shù),有效降低了導(dǎo)通電阻,提高了開關(guān)性能和效率。

### 3. 適用領(lǐng)域和模塊示例

#### **1. 開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)**

**UT4392G-S08-R-VB** 具有低 **RDS(ON)** 和較高的漏極電流承載能力,適用于 **開關(guān)電源(SMPS)** 和 **電池管理系統(tǒng)(BMS)**。在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中,它能夠高效地進行電壓轉(zhuǎn)換,同時減少導(dǎo)通損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。例如,應(yīng)用于 **電池充電器** 中時,能夠高效地進行電能轉(zhuǎn)換,減少熱量產(chǎn)生并提升充電效率。

#### **2. 電動工具和家電電力控制**

在 **電動工具** 和 **家電電力控制** 系統(tǒng)中,**UT4392G-S08-R-VB** 適用于電機驅(qū)動和電力轉(zhuǎn)換模塊。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,該 MOSFET 能夠提供穩(wěn)定的電流傳輸,確保電動工具和家電在高負(fù)載工作時保持高效和可靠的性能。例如,它可以在 **電動工具的電機驅(qū)動電路** 中提供高效的電流開關(guān),保證電動工具在各種負(fù)載下都能穩(wěn)定工作。

#### **3. 太陽能逆變器與可再生能源系統(tǒng)**

在 **太陽能逆變器** 和 **風(fēng)能系統(tǒng)** 中,**UT4392G-S08-R-VB** 可用于 **DC-AC 轉(zhuǎn)換器**,將儲存的直流電轉(zhuǎn)化為交流電供給電網(wǎng)或負(fù)載。低導(dǎo)通電阻幫助減少能源損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,特別適用于高效的能量轉(zhuǎn)換和儲存系統(tǒng)。該 MOSFET 也可用于 **電池儲能系統(tǒng)**,在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中提供穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié)和高效的電能轉(zhuǎn)換。

#### **4. 汽車電力電子系統(tǒng)**

在 **電動汽車(EV)** 和 **混合動力汽車(HEV)** 的電力管理系統(tǒng)中,**UT4392G-S08-R-VB** 是一個理想的選擇,尤其適用于電池電壓調(diào)節(jié)和電動機驅(qū)動電路。由于其能夠承受 **13A** 的電流,該 MOSFET 可以有效地在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **電機控制器** 中進行功率調(diào)節(jié),提高能源效率,并提供更高的電池續(xù)航能力。

#### **5. LED 驅(qū)動和高效照明**

在 **LED 驅(qū)動電源** 和 **高效照明系統(tǒng)** 中,**UT4392G-S08-R-VB** 可作為電流開關(guān),以提供穩(wěn)定的電流源,為大功率 LED 提供持久的穩(wěn)定電流。低 **RDS(ON)** 幫助減少電流通過時的功率損耗,確保 LED 照明系統(tǒng)在長期使用中的高效和可靠性。

#### **6. 自動化控制系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用**

**UT4392G-S08-R-VB** 也適用于 **自動化控制系統(tǒng)** 和 **工業(yè)電力模塊**,如 **電磁閥控制、繼電器驅(qū)動** 等。這些應(yīng)用中通常需要高效的電流開關(guān)和較低的能量損耗,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。通過其低 **RDS(ON)** 特性,該 MOSFET 能夠高效地控制電流流動并減少發(fā)熱,適用于工業(yè)設(shè)備中高效的電力管理。

#### **總結(jié)**

**UT4392G-S08-R-VB** 是一款高效、低功率損耗的 **N 型功率 MOSFET**,廣泛應(yīng)用于 **開關(guān)電源、電池管理、電動工具、電動汽車、太陽能逆變器、LED 驅(qū)動和工業(yè)自動化** 等領(lǐng)域。由于其低導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,這款 MOSFET 在電力轉(zhuǎn)換和電流控制中表現(xiàn)出色,適合處理高電流和高效率要求的應(yīng)用。

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