--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. **產(chǎn)品簡(jiǎn)介:TSM4886CS RL-VB**
TSM4886CS RL-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì),適用于各種電源管理、開關(guān)電源和功率轉(zhuǎn)換電路。該MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON) = 8mΩ @ V_GS = 10V),提供卓越的開關(guān)性能和能效,適合高效電源系統(tǒng)、自動(dòng)化設(shè)備以及電池驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。它的最大漏源電壓(V_DS)為30V,最大漏電流(I_D)為13A,適合多種中低壓電源電路中的應(yīng)用。TSM4886CS RL-VB 采用Trench技術(shù),以確保低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)特性,適用于要求高效率、低功耗的應(yīng)用場(chǎng)合。
### 2. **詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **型號(hào)**:TSM4886CS RL-VB
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道(Single-N-Channel)
- **最大漏源電壓(V_DS)**:30V
- **柵極-源極電壓(V_GS)**:±20V
- **閾值電壓(V_th)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))**:
- 11mΩ @ V_GS=4.5V
- 8mΩ @ V_GS=10V
- **最大漏電流(I_D)**:13A
- **技術(shù)類型**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **最大功率損耗**:根據(jù)實(shí)際工作環(huán)境和散熱條件進(jìn)行評(píng)估
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍**:±20V,適應(yīng)廣泛的控制需求
- **封裝特性**:SOP8封裝,緊湊設(shè)計(jì),提供良好的散熱能力,適合高功率密度應(yīng)用
### 3. **應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **高效開關(guān)電源(SMPS)**
TSM4886CS RL-VB 由于其超低導(dǎo)通電阻(8mΩ@V_GS=10V)和高電流能力(13A),非常適合在開關(guān)電源(SMPS)中使用。它可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源適配器、工業(yè)電源等電力轉(zhuǎn)換電路,通過低功耗和高效轉(zhuǎn)換,幫助優(yōu)化系統(tǒng)整體能效,降低發(fā)熱并提高可靠性。
2. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,TSM4886CS RL-VB 常用于電池充放電管理、電池電壓調(diào)節(jié)和負(fù)載切換。由于其高電流能力和低導(dǎo)通損耗,能夠有效地提高電池管理系統(tǒng)的整體效率,確保電池在高負(fù)載下的可靠性。特別是在電動(dòng)汽車(EV)和可再生能源儲(chǔ)存系統(tǒng)中,這款MOSFET的低功耗特性能夠延長(zhǎng)電池的使用壽命。
3. **電動(dòng)工具和家電電源管理**
該MOSFET 在電動(dòng)工具、電動(dòng)家電(如吸塵器、電動(dòng)剃須刀)等設(shè)備的電源管理模塊中應(yīng)用。其高導(dǎo)電性和低導(dǎo)通電阻特點(diǎn)使其在高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)出色,提供穩(wěn)定的電流控制并有效減少系統(tǒng)中的熱量產(chǎn)生,提升電動(dòng)工具和家電設(shè)備的使用壽命和穩(wěn)定性。
4. **LED驅(qū)動(dòng)電路**
TSM4886CS RL-VB 可廣泛應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電路中。它在高電流工作時(shí),能有效地調(diào)節(jié)電流并保持低熱損耗,從而確保LED燈具的高效能運(yùn)行。在大功率LED照明和商業(yè)照明系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠幫助實(shí)現(xiàn)低功耗、高亮度輸出,延長(zhǎng)LED模塊的使用壽命。
5. **汽車電子系統(tǒng)(ECU)**
在汽車電子控制單元(ECU)中,TSM4886CS RL-VB 適用于電池管理、電源轉(zhuǎn)換和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的開關(guān)控制。它的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在車載電源系統(tǒng)中能夠提供穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié),尤其是在電動(dòng)汽車(EV)、混合動(dòng)力汽車(HEV)等領(lǐng)域,確保電力電子模塊的高效運(yùn)行。
6. **無線通信設(shè)備**
TSM4886CS RL-VB 可以用于無線通信設(shè)備中的電源管理和高頻開關(guān)電源,特別是在射頻(RF)模塊和射頻功率放大器中。在這些應(yīng)用中,MOSFET能夠有效地降低功耗,提高工作效率,并確保設(shè)備在高負(fù)載下持續(xù)穩(wěn)定工作。
7. **DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器**
在DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器中,TSM4886CS RL-VB 通過低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,提供高效能的電源轉(zhuǎn)換。其在太陽能逆變器、通信電源、汽車電源等應(yīng)用中,能夠有效提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
### 總結(jié):
TSM4886CS RL-VB 是一款具有出色性能的N溝道MOSFET,適用于各種低電壓高電流的應(yīng)用領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高效電源管理、LED驅(qū)動(dòng)、電池管理和電動(dòng)工具等多個(gè)模塊中都表現(xiàn)出色,能夠有效提高系統(tǒng)的效率、減少功率損耗,并增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。無論是在高效開關(guān)電源、無線通信設(shè)備還是電動(dòng)汽車的電力轉(zhuǎn)換模塊中,TSM4886CS RL-VB 都是非常理想的選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛