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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4872DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: SI4872DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### SI4872DY-T1-E3-VB MOSFET 產品簡介

SI4872DY-T1-E3-VB 是一款高效單極N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓、高效率的開關應用設計。該MOSFET具有30V的最大漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS)范圍,適用于各種功率管理和電源轉換應用。其導通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為11mΩ,在VGS=10V時為8mΩ,這意味著它能夠在高電流環境下提供優異的功率效率。最大漏電流(ID)為13A,且采用Trench技術,適用于對效率要求較高的各種電源轉換和負載開關場合。

### SI4872DY-T1-E3-VB MOSFET 詳細參數說明

- **型號**:SI4872DY-T1-E3-VB  
- **封裝形式**:SOP8  
- **配置**:單極N溝道  
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V  
- **最大柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V  
- **導通電阻(RDS(ON))**:  
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 8mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏電流(ID)**:13A  
- **技術**:Trench技術  
- **工作溫度范圍**:-55°C 到 +150°C  
- **最大功率耗散(Pd)**:75W(典型值)

### SI4872DY-T1-E3-VB MOSFET 應用領域與模塊示例

1. **電源管理和DC-DC轉換器**
  - SI4872DY-T1-E3-VB 是電源管理系統中理想的開關元件。由于其低RDS(ON)特性,它在DC-DC轉換器中能夠實現高效的電流控制和功率轉換。在變換器的主開關路徑中使用該MOSFET,可以降低功率損耗,提升整體效率,尤其在要求高效能的便攜式設備或嵌入式系統中非常適用。

2. **負載開關應用**
  - 在各種負載開關應用中,SI4872DY-T1-E3-VB MOSFET可以作為控制開關,尤其適合用于電池驅動設備和移動設備中。在需要快速啟停電流流動的應用場景中,低導通電阻能夠有效減少熱損失,提高系統的穩定性和可靠性。

3. **電池管理系統(BMS)**
  - 在電池管理系統中,SI4872DY-T1-E3-VB可用于電池充電和放電過程的電流控制,確保系統在不同負載下的穩定性。它的低導通電阻和較高的電流承載能力使其成為高效電池管理系統中關鍵的功率開關元件,特別是在電動工具、電動汽車和其他能源存儲設備中。

4. **電動驅動系統**
  - 在電動驅動系統中,SI4872DY-T1-E3-VB 可以作為電機驅動電路的開關組件,尤其在直流電機控制應用中,其低RDS(ON)確保了在驅動電機時能夠有效地減少功率損失,提高驅動效率。它適用于風扇驅動、電動工具、電動玩具等電動設備的電流控制。

5. **家電和消費電子**
  - 該MOSFET還可廣泛應用于家電、電視、音響等消費電子設備中的電源管理模塊。低導通電阻和高電流能力使其成為家電設備中高效電源管理的理想選擇,確保設備在高負載工作時依然能夠保持穩定運行,并減少功率損耗。

通過其出色的電氣特性,SI4872DY-T1-E3-VB MOSFET 在低電壓、高效能的開關應用中具有廣泛的適用性,尤其適用于需要高效能、低功耗和高電流承載能力的電源系統。

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