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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4820DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: SI4820DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### SI4820DY-T1-E3-VB MOSFET 產品簡介

SI4820DY-T1-E3-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,封裝為 SOP8,專為低功耗應用設計。它具備 30V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),非常適合用于電源管理、負載開關和其他中低電壓系統中。該 MOSFET 采用 Trench 技術,具有極低的導通電阻(RDS(ON)): 11mΩ(VGS = 4.5V)和 8mΩ(VGS = 10V),確保了低功率損耗和高效的電流傳輸。其最大漏極電流為 13A,適合應用于高效開關電源、DC-DC 轉換器、負載開關等電力管理模塊。通過優化設計,SI4820DY-T1-E3-VB 能夠在各種環境條件下提供可靠的性能,并廣泛應用于消費電子、工業自動化、通信設備等領域。

### SI4820DY-T1-E3-VB MOSFET 詳細參數說明

| **參數**                | **說明**                                            |
|-------------------------|-----------------------------------------------------|
| **封裝**                | SOP8                                                |
| **配置**                | 單 N 通道 MOSFET(Single-N-Channel)                |
| **漏源電壓(VDS)**      | 30V                                                 |
| **柵源電壓(VGS)**      | ±20V                                                |
| **開啟電壓(Vth)**      | 1.7V                                                |
| **導通電阻(RDS(ON))**  | 11mΩ(VGS=4.5V);8mΩ(VGS=10V)                    |
| **漏極電流(ID)**       | 13A                                                 |
| **最大功率損耗**         | 30W                                                 |
| **工作溫度范圍**         | -55°C 到 +150°C                                     |
| **技術**                | Trench 技術                                          |
| **應用方向**            | 電源管理、DC-DC 轉換器、負載開關、汽車電源等      |

### SI4820DY-T1-E3-VB 應用領域與模塊示例

1. **電源管理系統**
  SI4820DY-T1-E3-VB 適用于低壓電源管理系統,特別是手機、平板電腦、LED 驅動電源等消費電子設備中的電源管理模塊。在這些應用中,它通過高效的電流開關和低導通電阻來減少能量損失,從而提高電池的使用時間和設備的電能效率。該 MOSFET 適合用于高效轉換和保護電路中,優化系統的能效表現。

2. **DC-DC 轉換器**
  由于其極低的導通電阻和高電流承載能力,SI4820DY-T1-E3-VB 非常適用于 DC-DC 轉換器,能夠高效地將輸入電壓轉換為所需的穩定輸出電壓,廣泛應用于便攜式電池供電設備、電源適配器、USB 電源等應用中。其高效的電流開關和低熱量輸出特性可以確保轉換器在較高負載下穩定運行。

3. **負載開關**
  在負載開關應用中,SI4820DY-T1-E3-VB 的低導通電阻和高耐壓特性使其能夠有效控制高電流的開關,適用于負載控制模塊。在嵌入式設備、電動工具、家電等設備中,作為開關元件,SI4820DY-T1-E3-VB 能夠確保系統高效、穩定的開關控制功能,同時減少系統功率損耗。

4. **電池管理系統(BMS)**
  SI4820DY-T1-E3-VB 在電池管理系統(BMS)中也有廣泛應用,尤其是在電動工具、電動自行車、電動汽車等充電系統中。它可以幫助高效地管理電池的充電和放電過程,優化電池性能,延長電池使用壽命。此外,作為電池保護電路的一部分,SI4820DY-T1-E3-VB 可以提供過電壓、過電流、短路等保護功能。

5. **汽車電源管理**
  在汽車電子系統中,SI4820DY-T1-E3-VB 主要用于電源轉換和電池管理應用,尤其是用于電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(BMS)和電力轉換單元。其低導通電阻和高電流承載能力使其能夠高效地支持電池的充電/放電,提升電動汽車的動力系統效率和延長電池壽命。

6. **通信設備**
  在通信設備中,SI4820DY-T1-E3-VB 用作電源開關、穩壓模塊和電源轉換器,幫助減少功率損耗并提高能效。尤其在無線通信、網絡設備和其他通信基礎設施中,該 MOSFET 可以有效管理電流并確保穩定的電壓輸出,保障設備長期穩定運行。

### 總結

SI4820DY-T1-E3-VB 是一款高效、低功耗、低導通電阻的單 N 通道 MOSFET,適用于廣泛的電源管理、電池管理、DC-DC 轉換、負載開關等應用。其具有 30V 的漏源電壓和 13A 的最大漏極電流,能夠滿足低壓高效開關應用中的需求,特別適合用于消費電子、汽車電源管理、通信設備以及工業自動化系統中。這款 MOSFET 憑借其高效率、低功耗特性,能夠顯著提高電子系統的能效,減少功率損耗,是現代電源管理系統中的理想選擇。

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