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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4426DY-T1-E3-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: SI4426DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### **SI4426DY-T1-E3-VB MOSFET 產品簡介**

SI4426DY-T1-E3 是一款采用SOP8封裝的單極N溝道MOSFET,具有30V的漏源電壓(VDS)和高達13A的最大漏電流(ID)。該MOSFET利用了現代的**Trench技術**,實現了低導通電阻(RDS(ON)),最大程度減少了功率損耗,提高了電流處理能力。該型號的閾值電壓(Vth)為1.7V,適合低壓驅動應用。其低RDS(ON)特性使其非常適合于高效能的電源管理和高速開關應用,特別是在開關頻率較高的場景下。

### **詳細參數說明**

| **參數**          | **值**                                      |
|-------------------|---------------------------------------------|
| **封裝**          | SOP8                                        |
| **配置**          | 單極N溝道                                    |
| **漏源電壓 (VDS)**  | 30V                                         |
| **柵源電壓 (VGS)**  | ±20V                                        |
| **閾值電壓 (Vth)**  | 1.7V                                        |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 8mΩ @ VGS=10V                             |
|                   | 11mΩ @ VGS=4.5V                             |
| **最大漏電流 (ID)** | 13A                                         |
| **技術**          | Trench技術                                  |

### **應用領域與模塊舉例**

**1. 電源管理系統**
- **DC-DC轉換器**:由于其低RDS(ON)特性,SI4426DY-T1-E3 在DC-DC轉換器中表現出色,能夠顯著降低開關損耗,提升整體效率。
- **電池管理系統**:該MOSFET的低導通電阻使其在電池管理系統中應用時,能夠有效減少熱量產生并提高轉換效率,延長電池壽命。

**2. 高效電機驅動**
- **電機驅動器**:SI4426DY-T1-E3可以用于驅動小型無刷電機(BLDC),如在電動工具、無人機和其他高頻電機控制系統中,能夠提供穩定的電流驅動,減少開關損耗。
- **家電產品**:例如風扇、電冰箱等家用電器中的電機控制系統,可以利用其低損耗特性實現節能運行。

**3. 便攜式設備**
- **便攜電源模塊**:由于該MOSFET能夠在低電壓下高效工作,適合應用于便攜式電子設備的電源模塊中,提供高效的功率轉換,延長電池使用時間。
- **智能穿戴設備**:例如智能手表、耳機等,低功耗、高效率的特性能夠滿足這些小型設備的電源需求。

**4. 高速開關電路**
- **開關電源**:SI4426DY-T1-E3 在高頻開關電源中具有顯著優勢,能夠承受高頻開關,提供低開關損耗,廣泛應用于通信、計算機和消費類電子產品。
- **LED驅動電路**:作為LED驅動電源的一部分,該MOSFET能夠在較低的電壓下實現高效的電流控制,為LED提供穩定的工作電流。

綜上所述,SI4426DY-T1-E3 MOSFET非常適用于各種高效能開關電路、電源管理和電動機驅動等領域,特別是在對功率損耗和熱管理有較高要求的應用場景中。

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