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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RDS070N03-TB-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號(hào): RDS070N03-TB-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RDS070N03-TB-VB 產(chǎn)品簡介

RDS070N03-TB-VB 是一款高效單N溝道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓可達(dá) 30V,最大漏極電流為 13A,適合在電源管理和開關(guān)應(yīng)用中使用。該器件采用 Trench 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 分別為 11mΩ @ VGS=4.5V 和 8mΩ @ VGS=10V),確保在高負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)高效能和低熱損耗,適合用于各種高頻和低功耗電路。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:RDS070N03-TB-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ @ VGS=4.5V
 - 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**:RDS070N03-TB-VB 非常適合在開關(guān)電源中使用,能夠提供高效的電源轉(zhuǎn)換,降低功耗,廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、手機(jī)充電器及其他便攜式設(shè)備。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:該 MOSFET 在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,能在高頻率下有效處理電能轉(zhuǎn)化,提高系統(tǒng)效率,適用于消費(fèi)電子和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)電路**:RDS070N03-TB-VB 適合用于 LED 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,通過提供穩(wěn)定的電流控制,確保在不同工作條件下的亮度一致性,廣泛應(yīng)用于照明系統(tǒng)。

4. **電動(dòng)機(jī)控制**:在小型電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制中,RDS070N03-TB-VB 能夠提供可靠的電流輸出,適合家用電器和工業(yè)設(shè)備的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),增強(qiáng)系統(tǒng)的響應(yīng)速度和穩(wěn)定性。

RDS070N03-TB-VB 的優(yōu)越性能和靈活性使其成為低電壓和高電流應(yīng)用中的理想選擇。如需更多信息或進(jìn)一步的幫助,請隨時(shí)告知!

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