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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MMSF5N03HDR2G-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: MMSF5N03HDR2G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、MMSF5N03HDR2G-VB 產品簡介  
MMSF5N03HDR2G-VB 是一款 **SOP8 封裝的單 N-溝道 MOSFET**,采用 **Trench 技術**,專為高效電源和開關應用設計。其 **30V 的漏源電壓(VDS)** 和超低的 **導通電阻(RDS(ON))** 使其在高性能電子設備中表現優異。該器件提供了高達 **13A 的漏極電流(ID)**,適合大電流應用,同時其低開啟電壓(Vth = 1.7V)確保了在較低驅動電壓下的高效性能。MMSF5N03HDR2G-VB 的設計使其非常適合用于電源管理、電動機驅動和其他開關電路。

---

### 二、MMSF5N03HDR2G-VB 詳細參數說明  
| **參數**           | **值**                      | **描述**                                 |
|-------------------|----------------------------|-----------------------------------------|
| **封裝類型**      | SOP8                       | 小型封裝,適合空間受限的應用              |
| **配置**          | Single N-Channel           | 單 N 溝道設計,支持單極性開關操作           |
| **VDS**           | 30V                        | 漏極-源極電壓的最大額定值                 |
| **VGS(絕對值)** | ±20V                       | 柵極-源極電壓的耐受范圍                   |
| **Vth**           | 1.7V                       | 柵極開啟電壓,確保低驅動電壓的兼容性       |
| **RDS(ON)**       | 11mΩ @ VGS = 4.5V;8mΩ @ VGS = 10V | 導通電阻,提供高效率,降低功率損耗         |
| **ID**            | 13A                        | 最大漏極電流,適合中高負載應用              |
| **技術**          | Trench                     | Trench 技術,提供低導通電阻和高開關效率      |

---

### 三、應用領域與模塊示例  
1. **電源管理系統**  
  MMSF5N03HDR2G-VB 在 **開關電源**(SMPS)和 **DC-DC 轉換器** 中被廣泛應用。由于其低導通電阻,它能夠顯著提高電源轉換效率,并降低發熱量,適合用于高效能電源模塊。

2. **電動機驅動**  
  該 MOSFET 可用于 **電動機驅動電路**,例如步進電機和直流電機控制,通過提供穩定的電流和高效的開關性能,實現精確的電機控制。

3. **消費電子產品**  
  在 **智能手機、平板電腦** 和 **筆記本電腦** 等便攜式電子設備中,MMSF5N03HDR2G-VB 可以作為電源開關,用于管理電池電源,優化電能使用并延長電池壽命。

4. **LED 驅動電路**  
  此 MOSFET 在 **LED 照明應用** 中也有廣泛應用,能夠高效地控制LED燈的開關,提升照明系統的整體效率和可靠性。

綜上所述,MMSF5N03HDR2G-VB

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