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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MMSF5N02HDR2G-VB一款SOP8封裝N-Channel場效應MOS管

型號: MMSF5N02HDR2G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、MMSF5N02HDR2G-VB 產品簡介  

MMSF5N02HDR2G-VB 是一款 **單 N 溝道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **SOP8 封裝**,專為高性能電源管理和開關應用而設計。該器件具有 **30V** 的最大漏源電壓 (VDS),并能夠在 **±20V** 的柵源電壓 (VGS) 下運行,適用于多種工作環境。采用 **Trench 技術**,該 MOSFET 的導通電阻 (RDS(ON)) 在 **4.5V** 柵壓下為 **11mΩ**,在 **10V** 柵壓下為 **8mΩ**,展現出出色的電流控制能力,最大漏極電流達到 **13A**。這使得它在低功耗應用中表現卓越,能夠有效降低能耗,提高設備的整體效率。

---

### 二、MMSF5N02HDR2G-VB 詳細參數說明  

| 參數            | 規格                       |
|----------------|---------------------------|
| **封裝**        | SOP8                      |
| **配置**        | Single N-Channel          |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30 V                     |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20 V                   |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7 V                   |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 11 mΩ @ VGS = 4.5 V
8 mΩ @ VGS = 10 V |
| **漏極電流 (ID)**   | 13 A                    |
| **技術**        | Trench                    |

該 MOSFET 低導通電阻和高電流能力使其適合高效能和高可靠性的電氣應用,極大地提升了系統的效率和性能。

---

### 三、應用領域與模塊  

1. **電源管理**  
  - **DC-DC 轉換器**:MMSF5N02HDR2G-VB 作為開關元件,適用于降壓、升壓及反相電源轉換,能夠有效提升系統的能效,降低功耗。  
  - **電池管理系統**:在電池充電和放電過程中,用于控制電流的流向,保護電池不受損壞,確保其安全性和壽命。

2. **消費電子**  
  - **便攜式電子設備**:應用于智能手機、平板電腦等設備的電源開關,幫助提高電池的續航能力。  
  - **LED 照明**:作為 LED 驅動電路中的開關,能夠實現對 LED 光源的精準控制,滿足不同亮度需求。

3. **汽車電子**  
  - **電動窗和車燈控制**:MMSF5N02HDR2G-VB 可用于汽車中各種電動設備的驅動,確保在高電流條件下的可靠性和響應速度。  
  - **混合動力和電動汽車**:在電機控制和電池管理中作為高效的開關,優化能源使用效率。

4. **工業控制**  
  - **自動化設備**:在工業自動化和機器人應用中,作為電機控制和負載開關,提高操作效率和響應速度。  
  - **電力開關**:用于各種電源切換和控制模塊,保證設備在不同工況下的穩定運行。

MMSF5N02HDR2G-VB 憑借其卓越的電氣性能和高效能,廣泛應用于電源管理、消費電子、汽車電子和工業控制等多個領域,滿足了現代電子設備對高性能和高可靠性的需求。

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