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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRF1404ZL-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IRF1404ZL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRF1404ZL-VB 產(chǎn)品簡介

IRF1404ZL-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET,封裝采用 TO262。它能夠承受最高 40V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。該 MOSFET 使用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 5mΩ@VGS=10V),并且能夠處理高達(dá) 100A 的漏極電流(ID)。IRF1404ZL-VB 設(shè)計(jì)用于高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用,提供卓越的電流傳輸能力和低功耗操作,適合各種高負(fù)載和高性能需求的環(huán)境。

### 二、IRF1404ZL-VB 參數(shù)說明

- **封裝**: TO262  
- **配置**: 單 N-通道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A  
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**: IRF1404ZL-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其是高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻能夠顯著減少功耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率,適合要求高效能和低熱量的設(shè)計(jì)場景。

2. **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**: 在電動汽車和混合動力汽車中,該 MOSFET 適用于電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻可以有效控制電動汽車的高功率需求,從而提升整體性能和可靠性。

3. **工業(yè)自動化與電機(jī)控制**: IRF1404ZL-VB 是工業(yè)自動化中的高功率電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載控制應(yīng)用的理想選擇。其高電流承載能力和優(yōu)異的開關(guān)性能使其能夠在重負(fù)載和高頻開關(guān)的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,提升設(shè)備效率和耐用性。

4. **通信設(shè)備與數(shù)據(jù)中心**: 在通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心中,該 MOSFET 可用于高功率 RF 放大器和電源管理模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于優(yōu)化設(shè)備的信號質(zhì)量和整體性能,確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。

IRF1404ZL-VB 以其優(yōu)異的電流處理能力和低功耗特性,適用于各種高功率和高效能應(yīng)用,提供可靠的開關(guān)解決方案。### 一、IRF1404ZL-VB 產(chǎn)品簡介

IRF1404ZL-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET,封裝采用 TO262。它能夠承受最高 40V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。該 MOSFET 使用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 5mΩ@VGS=10V),并且能夠處理高達(dá) 100A 的漏極電流(ID)。IRF1404ZL-VB 設(shè)計(jì)用于高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用,提供卓越的電流傳輸能力和低功耗操作,適合各種高負(fù)載和高性能需求的環(huán)境。

### 二、IRF1404ZL-VB 參數(shù)說明

- **封裝**: TO262  
- **配置**: 單 N-通道  
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A  
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理與DC-DC轉(zhuǎn)換器**: IRF1404ZL-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其是高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻能夠顯著減少功耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率,適合要求高效能和低熱量的設(shè)計(jì)場景。

2. **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**: 在電動汽車和混合動力汽車中,該 MOSFET 適用于電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻可以有效控制電動汽車的高功率需求,從而提升整體性能和可靠性。

3. **工業(yè)自動化與電機(jī)控制**: IRF1404ZL-VB 是工業(yè)自動化中的高功率電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載控制應(yīng)用的理想選擇。其高電流承載能力和優(yōu)異的開關(guān)性能使其能夠在重負(fù)載和高頻開關(guān)的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,提升設(shè)備效率和耐用性。

4. **通信設(shè)備與數(shù)據(jù)中心**: 在通信設(shè)備和數(shù)據(jù)中心中,該 MOSFET 可用于高功率 RF 放大器和電源管理模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于優(yōu)化設(shè)備的信號質(zhì)量和整體性能,確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。

IRF1404ZL-VB 以其優(yōu)異的電流處理能力和低功耗特性,適用于各種高功率和高效能應(yīng)用,提供可靠的開關(guān)解決方案。

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