--- 產品參數 ---
- Package TO247
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 900V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 750mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### IPW90R800C3-VB 產品簡介
**IPW90R800C3-VB** 是一款高電壓耐受性 MOSFET,采用 TO247 封裝,適用于需要高耐壓和高耐流的應用場景。該 MOSFET 是單極 N 通道型,適合用于高壓開關和功率轉換應用。其 SJ_Multi-EPI 技術提供了良好的導通電阻和開關性能,適合高功率和高頻率的使用環境。
### 詳細參數說明
- **型號**: IPW90R800C3-VB
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 900V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ (VGS=10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 應用領域及模塊示例
**1. 高壓電源轉換器**
在高壓電源轉換器中,IPW90R800C3-VB 的高耐壓特性使其適用于直流-直流轉換器和逆變器,這些應用通常需要處理高電壓和高功率。其較低的導通電阻幫助提高系統效率,并減少功耗和熱量。
**2. 工業電機驅動**
該 MOSFET 可以用于工業電機驅動模塊中,其高漏極電壓和高電流承受能力使其適合于控制大型電機的啟動和運行。其高電壓耐受性確保在電機驅動過程中對電源波動有較好的適應性。
**3. 電力因數校正(PFC)電路**
在電力因數校正電路中,IPW90R800C3-VB 的高耐壓和低導通電阻特性可以提高電路的穩定性和效率。這種 MOSFET 能夠在高電壓和高頻率條件下工作,確保 PFC 電路能夠高效地提升電源質量。
**4. 高頻開關電源**
由于其較低的導通電阻和較高的耐壓值,該 MOSFET 非常適合用于高頻開關電源應用,例如用于計算機電源和通信設備中。這些應用要求 MOSFET 在高頻率下仍能保持穩定的性能和低的能量損耗。
這些應用示例展示了 IPW90R800C3-VB 在不同領域中的廣泛適用性和重要性,尤其是在需要高電壓和高電流的環境下。
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