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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPW65R280E6-VB一款TO247封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPW65R280E6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 210mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IPW65R280E6-VB 產品簡介

IPW65R280E6-VB 是一款高電壓單通道 N 型 MOSFET,采用 TO247 封裝,專為高功率和高電壓應用設計。其漏源極電壓 (VDS) 高達 700V,能夠在高電壓環境下穩定運行,適合要求高電壓隔離的應用。該 MOSFET 的柵源極電壓 (VGS) 額定為 ±30V,開啟電壓 (Vth) 為 3.5V。導通電阻 (RDS(ON)) 為 210mΩ (VGS=10V),最大漏極電流 (ID) 為 20A。采用 SJ_Multi-EPI 技術,這款 MOSFET 提供了優秀的開關性能和功率密度,適用于要求高電壓和較高電流的電力電子系統。

### 二、IPW65R280E6-VB 詳細參數說明

1. **封裝類型**:TO247
2. **配置**:單通道 N 型 MOSFET
3. **漏源極電壓 (VDS)**:700V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
5. **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:
  - 210mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:20A
8. **技術類型**:SJ_Multi-EPI 技術
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
10. **熱阻**:典型值 1.0°C/W (結到殼)
11. **功率耗散**:150W
12. **開關速度**:具有良好的開關性能,適合高頻應用
13. **封裝尺寸**:TO247 封裝,適合高功率散熱和安裝需求

### 三、應用領域和模塊示例

1. **高壓開關電源 (SMPS)**:IPW65R280E6-VB 在高壓開關電源中表現出色,特別是在需要高電壓處理的應用場景中。其高電壓和中等導通電阻確保了電源的高效能和穩定性,適合用于工業電源、數據中心電源以及大功率電源適配器中。

2. **太陽能逆變器**:該 MOSFET 在太陽能光伏逆變器中的應用也很廣泛。其高電壓和適中的導通電阻,使其能夠高效地處理光伏系統中的高電壓和電流需求,提高了逆變器的總體效率,適合應用于大型太陽能發電場和商業光伏系統。

3. **電動汽車充電器**:IPW65R280E6-VB 在電動汽車充電器中的作用顯著,其高電壓承受能力和穩定的開關性能,使其能夠處理充電過程中的高電壓需求,提高充電效率,適用于快速充電器和高功率充電系統。

4. **高壓 DC-DC 轉換器**:在高壓 DC-DC 轉換器中,該 MOSFET 提供了高效的電能轉換和穩定性,適合用于電力電子系統,如通信基站電源和工業控制系統中的電壓轉換模塊。其優良的開關性能有助于減少能量損耗和提高系統的可靠性。

5. **不間斷電源 (UPS)**:IPW65R280E6-VB 可以在 UPS 系統中應用,處理高電壓電源切換時的需求。其可靠的性能確保了在電力故障時的平穩切換,適用于工業、數據中心和家庭的 UPS 設備。

IPW65R280E6-VB 作為一款高電壓、中電流的 MOSFET,適合用于高壓開關電源、太陽能逆變器、電動汽車充電器、高壓 DC-DC 轉換器以及 UPS 系統等領域。其基于 SJ_Multi-EPI 技術的設計提供了優異的開關性能和穩定性,能夠滿足各種高功率密度和高效率的應用需求。

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