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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPW65R190CFD-VB一款TO247封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPW65R190CFD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IPW65R190CFD-VB 產品簡介

IPW65R190CFD-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO247封裝。該MOSFET 具有650V的擊穿電壓和160mΩ的導通電阻,適合處理高電壓和高電流的應用。它采用了超級結(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術,使其在高壓環境下保持高效的開關性能和低功率損耗。IPW65R190CFD-VB 適用于高效電源轉換、工業電力系統以及其他需要高電壓和高電流控制的領域。

### 二、IPW65R190CFD-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO247
- **配置**:單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:650V
- **柵極驅動電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:20A
- **技術**:超級結(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **功耗 (Ptot)**:125W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **開關速度**:快速開關能力
- **封裝引腳數**:3引腳

### 三、應用領域和模塊

1. **開關電源(SMPS)**:IPW65R190CFD-VB 在開關電源應用中表現優異。其650V的高擊穿電壓和160mΩ的導通電阻使其適合用于高電壓電源轉換器,如DC-DC轉換器和AC-DC轉換器,能在高電壓下實現高效的開關操作,減少功率損耗。

2. **功率逆變器**:在功率逆變器系統中,該MOSFET 能夠有效處理來自直流電源的高電壓輸入,進行高效的逆變過程。特別適用于太陽能逆變器和工業逆變器,能夠確保電能轉換的穩定性和可靠性。

3. **工業電力管理**:IPW65R190CFD-VB 適合在工業電力模塊中使用,如電動機驅動系統和電力轉換裝置。其高電壓耐受能力和低開關損耗能夠支持高功率應用的穩定運行和高效控制。

4. **不間斷電源(UPS)**:在UPS系統中,這款MOSFET 可以高效地處理電力中斷的高電壓需求,確保在電力失效時為關鍵設備提供可靠的備用電源,并維持系統的穩定性。

5. **高壓電池管理系統(BMS)**:IPW65R190CFD-VB 在高壓電池管理系統中也能發揮作用,特別是在電池充電和放電過程中的高電壓控制。它的低導通電阻和高電壓耐受能力有助于提高電池管理系統的效率和安全性。

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