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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPW60R160C6-VB一款TO247封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPW60R160C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 75mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IPW60R160C6-VB 產品簡介
IPW60R160C6-VB 是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO-247封裝,基于Super Junction(SJ)多重外延(Multi-EPI)技術。這款MOSFET 設計用于處理高達650V的漏源電壓(VDS),并具有高達47A的漏極電流(ID),適用于高電壓和高功率密度應用。其導通電阻(RDS(ON))為75mΩ(在VGS=10V下),使其在高效能轉換系統中具有極佳的開關性能和較低的功率損耗。

### 二、IPW60R160C6-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO-247  
- **溝道配置**:單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:75mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:47A  
- **功耗**:取決于散熱系統和應用  
- **工作溫度范圍**:具體取決于應用環境  
- **技術**:Super Junction(SJ)多重外延(Multi-EPI)  

### 三、IPW60R160C6-VB 應用領域和模塊
1. **電動汽車充電樁**:IPW60R160C6-VB 非常適合用于電動汽車高壓充電系統中。其650V的高耐壓和較低的導通電阻使得它在充電模塊中能夠高效地進行電能轉換,減少系統損耗,提升整體充電效率。

2. **光伏逆變器**:在光伏發電系統中的逆變器模塊,IPW60R160C6-VB 能夠處理高電壓并保持高效的轉換性能。這種器件的高耐壓特性和低損耗特點有助于提高光伏系統的發電效率,特別是大功率應用中的逆變器設計。

3. **工業電源供應器**:在工業電源和功率轉換設備中,IPW60R160C6-VB 適用于高壓、高功率密度的應用場景。其650V耐壓和47A電流能力非常適合處理高電壓工業電源需求,如大功率變壓器或UPS電源中。

4. **電機控制系統**:這款MOSFET 適用于高電壓電機控制系統,特別是需要快速開關操作的工業電機和變頻驅動系統。其高效的導通和關斷性能使得它在提高電機驅動效率方面表現優異,同時減少系統中的能量損耗。

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