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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPU06N03-VB一款TO251封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPU06N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO251
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 3.5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPU06N03-VB 產(chǎn)品簡介
IPU06N03-VB 是一款N溝道MOSFET,采用TO251封裝,適用于低電壓大電流應(yīng)用場合。該器件的漏源極電壓(VDS)為30V,最大漏極電流(ID)為100A,具備極低的導(dǎo)通電阻,確保了高效的功率傳輸。其1.7V的閾值電壓使得該器件能夠在低柵極驅(qū)動下實(shí)現(xiàn)高效開關(guān)。IPU06N03-VB 采用了先進(jìn)的Trench技術(shù),在提供低導(dǎo)通損耗的同時(shí),具備快速開關(guān)能力,特別適合需要高效率和高功率密度的應(yīng)用。

### IPU06N03-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO251
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V
 - 3.5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)
- **其他特點(diǎn)**:
 - 低導(dǎo)通電阻,減少功率損耗
 - 高電流處理能力,適合大功率應(yīng)用
 - 快速開關(guān)性能,提升系統(tǒng)效率

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電池管理系統(tǒng)**:IPU06N03-VB 適用于電池管理系統(tǒng)中的電池保護(hù)和充放電控制模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于鋰離子電池組中,能夠有效提高充放電效率,減少系統(tǒng)功率損耗。

2. **直流-直流轉(zhuǎn)換器**:該MOSFET 非常適合應(yīng)用于低壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中,尤其是在移動設(shè)備、便攜式電子設(shè)備等需要高效率和緊湊設(shè)計(jì)的場合。其低導(dǎo)通電阻能夠降低功率轉(zhuǎn)換過程中的損耗,提升系統(tǒng)整體效率。

3. **汽車電子系統(tǒng)**:在汽車的低壓供電系統(tǒng)中,IPU06N03-VB 可用于驅(qū)動和控制電動系統(tǒng),例如電動座椅、照明和其他電動附件。其高電流處理能力和低導(dǎo)通損耗能夠滿足汽車系統(tǒng)的功率要求,同時(shí)確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **功率開關(guān)電路**:在大電流電源管理和功率開關(guān)應(yīng)用中,IPU06N03-VB 的高開關(guān)速度和低損耗特性使其非常適合于電動工具、伺服系統(tǒng)和工業(yè)電源等模塊,能夠提供高效的電流傳輸和快速響應(yīng)能力。

這些應(yīng)用展示了IPU06N03-VB 在低電壓、大電流環(huán)境下的廣泛應(yīng)用,特別是在需要高效率和高功率密度的系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。

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