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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP90R500C3-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP90R500C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 420mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IPP90R500C3-VB 產品簡介

IPP90R500C3-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,封裝形式為TO220。該MOSFET 具備900V的擊穿電壓,非常適合高電壓應用。它采用了先進的超級結(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術,能夠在高電壓條件下保持較低的導通電阻,確保高效的電流控制和功率轉換。這款MOSFET 的設計使其在高功率、穩壓和開關電源應用中表現出色。

### 二、IPP90R500C3-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**:900V
- **柵極驅動電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:420mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:15A
- **技術**:超級結(SJ)多重外延(Multi-EPI)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C

### 三、應用領域和模塊

1. **高壓開關電源**:IPP90R500C3-VB 的900V擊穿電壓使其非常適合用于高壓開關電源。它能夠處理高電壓輸入,并提供高效的電流轉換,適用于需要高耐壓的電源管理系統。

2. **工業電力模塊**:在工業電力模塊中,該MOSFET 的高電壓能力和穩定性能對于高壓電源的控制至關重要。它可以用于驅動高功率負載并提供穩定的電源輸出。

3. **功率逆變器**:在功率逆變器應用中,IPP90R500C3-VB 的高擊穿電壓和低導通電阻使其能夠處理來自電池或其他高電壓源的輸入電壓,確保高效的功率轉換和系統穩定性。

4. **電池管理系統 (BMS)**:該MOSFET 可以在電池管理系統中用于高電壓電池組的保護和控制,確保在充電和放電過程中提供可靠的開關控制,并減少功率損耗。

5. **高壓負載開關**:在需要高電壓負載開關的應用中,例如高壓電源控制或電氣隔離,IPP90R500C3-VB 能夠提供必要的電流承載能力和低導通電阻,保證系統的安全性和效率。

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