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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP50R299CP-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP50R299CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 220mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP50R299CP-VB 產(chǎn)品簡介
IPP50R299CP-VB 是一款采用 Super Junction(SJ)多重外延 (Multi-EPI) 技術(shù)的單N溝道MOSFET,專為高壓和高效能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的漏源電壓高達(dá) 650V,能夠承受 15A 的漏極電流,具備220mΩ 的低導(dǎo)通電阻(VGS = 10V)。其高擊穿電壓和低導(dǎo)通損耗使其特別適合需要高效率、低損耗的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如開關(guān)電源和電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。該器件采用 TO220 封裝,閾值電壓為 3.5V,具有良好的開關(guān)性能和熱穩(wěn)定性。

### 二、IPP50R299CP-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220
- **極性**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 220mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: Super Junction(SJ)Multi-EPI 技術(shù)
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 150W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **開關(guān)速度**: 高速開關(guān),適用于高頻應(yīng)用
- **最大浪涌電流**: 60A(單脈沖)
 
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **開關(guān)電源 (SMPS)**
  IPP50R299CP-VB 的 650V 高電壓和 Super Junction 技術(shù)使其成為開關(guān)電源應(yīng)用的理想選擇,尤其是在工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備中。該器件能夠減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,在高壓轉(zhuǎn)換器和功率因數(shù)校正 (PFC) 電路中表現(xiàn)尤為出色。

2. **太陽能逆變器**
  在太陽能逆變器中,IPP50R299CP-VB 能夠有效處理高電壓并提供穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換,確保太陽能系統(tǒng)將直流電能高效轉(zhuǎn)換為交流電。其低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性使其適用于要求高效能的光伏發(fā)電系統(tǒng)。

3. **電動汽車充電站**
  由于其高電壓能力和低導(dǎo)通損耗,IPP50R299CP-VB 是電動汽車充電站中功率轉(zhuǎn)換和控制模塊的關(guān)鍵元件。該器件能夠在電動汽車充電系統(tǒng)中提供高效、穩(wěn)定的能量傳輸,并減少充電時的能量損耗。

4. **不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)**
  在 UPS 系統(tǒng)中,該 MOSFET 提供了高電壓和高效率的功率轉(zhuǎn)換能力,能夠快速響應(yīng)電力中斷并提供可靠的電力輸出,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

5. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動**
  在工業(yè)環(huán)境中的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,IPP50R299CP-VB 能夠處理高電壓并提供穩(wěn)定的電流控制,確保電機(jī)的高效運(yùn)行。這使其成為高壓電機(jī)控制系統(tǒng)中的理想元件,特別是在需要高精度和高效能的場景中。

IPP50R299CP-VB 在多個高壓、高效能的應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,是各種高電壓功率電子設(shè)備中不可或缺的組件。

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