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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP50R250CP-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP50R250CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 160mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IPP50R250CP-VB 產品簡介

IPP50R250CP-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高壓功率轉換和開關應用設計。該器件的最大漏源電壓為 650V,最大漏極電流為 20A,在 VGS = 10V 條件下的導通電阻為 160mΩ。該 MOSFET 采用超級結(Super Junction,SJ)多層 EPI 技術,能夠在高壓條件下實現低導通損耗和高開關效率,適合用于要求高效、低功耗的電源管理系統中。其出色的耐壓能力和開關性能使其成為高電壓應用的理想選擇。

### 二、IPP50R250CP-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:20A
- **技術類型**:超級結(SJ)多層 EPI 技術
- **耗散功率 (Ptot)**:約 150W(具體取決于散熱條件)
- **熱阻 (RthJC)**:0.75℃/W(結到殼)
- **開關特性**:
 - 開啟時間:約 30ns
 - 關斷時間:約 50ns
- **工作溫度范圍**:-55℃ 到 175℃

### 三、應用領域和模塊示例

1. **高壓開關電源(SMPS)**:IPP50R250CP-VB 的高耐壓能力和低導通損耗使其非常適用于高壓開關電源的功率開關模塊。在工業電源和電力設備中,該 MOSFET 可有效提升電源的轉換效率,并減少功耗。

2. **照明系統中的 LED 驅動器**:在高壓 LED 驅動器中,該 MOSFET 的高電壓承受能力和低損耗特性使其能夠提供穩定的電流驅動,確保 LED 系統的高效能和長壽命,廣泛應用于商業和工業照明系統中。

3. **太陽能逆變器**:IPP50R250CP-VB 的高壓能力使其非常適合太陽能發電系統中的逆變器模塊,在將直流電轉換為交流電的過程中提供高效的開關性能,有助于提高光伏發電系統的整體效率。

4. **電機驅動控制**:在工業電機控制系統中,該 MOSFET 可用于處理高電壓功率開關需求,提供高效能的電流調節,從而提高電機的運行穩定性和能效。

5. **不間斷電源(UPS)**:IPP50R250CP-VB 能夠在 UPS 系統中提供穩定的高壓開關功能,確保電源切換時能夠快速響應,減少系統能量損耗,提高系統的效率和可靠性。

通過其高電壓處理能力和優秀的開關性能,IPP50R250CP-VB 是高效能、高壓應用的理想解決方案,適用于各種需要高電壓、高效功率轉換的系統。

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